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1、按下K15，MOS管导通，主电路供电正常，可编程芯片(MCU、ARM等)控制IO口控制PWER_KEEP输出高电平让MOS管持续导通，此时K15按键可以放开。
2、前端 放电控制就是输出一个微弱的电压使MOS管导通，当不充电的时候 放电。 电压采样 就是把电池的电压衰减到小信号，再同相放大到你需要的采集幅值 充电采样类似上面。
3、MOS导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
4、这个现象应该是说明继电器动作相应了，但是分闸机构内肯定存在某些机械联锁的拒动了，所以才会响的。
1、这是因为，光MOS继电器中的发光二极管只能将一部分光能转化为电能，其余的光能会被浪费掉。抗干扰能力较差：光MOS继电器对电磁干扰比较敏感，如果周围有强烈的电磁干扰，可能会影响其正常工作。
2、你设计的思路是这样的：正常情况下，当光耦接入高电平时光耦导通，三极管基极电压通过光耦的后面到地，三极管截止，继电器线圈没有电流通过继电器断开。没有输入高电平时继电器是闭合的。
3、光MOS继电器是一种特殊的MOS继电器，它能够将光信号转换成电信号，而光耦则是一种光学元件，它能够将光信号转换成电信号，并且可以用来控制电源的开关。
4、光耦继电器驱动不了是电流原因。光耦继电器对电流的大小有要求，电流小了是驱动不了的，要对应看看手册上电流的电最值是多小，并留有一定的余量，因此驱动不了是电流原因。光耦继电器是指含有一个MOSFET光耦合LED的光耦。
你的情况是脉冲电流，可以直接并联多个，但要注意两点，场效应管的耐压要大于使用电压，多管并联以后，总的输入端的输入电容加大，需降低激厉电路的阻抗。有源均流电路线性化。
场效应管是通过加在栅极和源极之间的电压UGS，来控制漏极电流ID，这种控制关系可以表示为：ID=gm*UGS，gm称为跨导，单位为西门子。因此场效应管被称为电压控制型器件。
场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
场效应管的限流一般是应用其本身的自限流效应，跟物理原理有关，跟电路关系不大。当电流增大时，管子功耗上升，发热。使管子本身的通态电阻增大，电阻增大的结果就是电流上升被抑制，也就起到了限流效果。
场效应晶体管(FET)是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体器件，因此而得名。它也被称为单极晶体管，因为它只由半导体中的多数载流子传导。英语是场效应晶体管，缩写为FET。
你好：——★”用场管 小电流 控制大电流“的说法是不正确的：场效应管 的 输入阻抗 非常高，属于电压 控制器件 ，由 栅极 电压来控制输出电流的。
VDS=VGS，处于非饱和区，所以漏电流没饱和，另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。补充：你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了。
原因如下：在最大电流下晶体管处于开启状态，电流受阻的是栅极的电流，而非漏极电流。在增强型MOS管的设计中，为了避免漏电流过大，会采用掺杂少量P型材料的技术从而达到减小漏电流。
场效应管在夹断后，还有饱和电流的原因是：当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。
漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。以N沟道增强型MOS管为例：当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象；当VgsVgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
另外由于集成电路制作工艺的限制，在MOS管各极之间及内部会有寄生电容等寄生效应产生，也会导致一定的漏电流产生，不过在中频的时候一般工程应用中都忽略了这些因素，采用简化的电路模型计算。以上是我的理解，不一定准确。
关键词：mos管 MCU 发光二极管 三极管基极电压 三极管截止 mos继电器 光耦 输入电容 光耦继电器 光mos继电器 继电器 导通电阻 电阻
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