mos管的衬底（MOS管的衬底电极均与源极并接在一起）

发布时间：2023-06-18

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一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

mos管的衬底（MOS管的衬底电极均与源极并接在一起）

1、因为P衬底的少子是电子，而N衬底的少子是空穴。电子的迁移率要大于空穴的迁移率，而MOS器件是少子导电，所以采用在P衬底上可以集成速度更快的NMOSFET。而PMOS必须要做到N阱里面。

2、因为P型衬底直接做出的管子是N型的，NMOS是电子导电，其迁移率高于空穴。

3、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

4、MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

1、对于增强型NMOS，在衬底上加正的电压，相当于在沟道区加正的电压，那么MOS要开启，栅端就要加一个更高的电压来使沟道区形成反型层。所以衬底偏置会影响MOS管的开启电压。

2、若要维持原有的导电水平，必须增加栅压，即增加栅上的电荷数。对器件而言，衬底偏置电压的存在，将使MOS晶体管的阈值电压的数值提高。对NMOS，VTN更正，对PMOS，VTP更负，即阈值电压的绝对值提高了。

3、S正G负是肯定开启不了的首先要说明的是栅极吸引的不是沉底中少量的电子而是他两边S和D两极中的大量电子同时排斥原来沟道中（也就是P型衬底的一部分）的空穴从而形成N型的导电沟道连同D和S两极。

4、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

5、自给偏置电路，要求在动态信号为0的时候还有电流，这种情况下，只有耗尽型的场效应管符合（你仔细看一下耗尽型场效应管的转移特性曲线，当Ugs=0时，iD还是一个大于0的值）。

6、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性，如结型MOS管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压。

半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1·发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结，并具有单向导电性。

目前半导体元件包括：二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。

半导体光电器件如光导管、光电池、光电二极管、光电晶体管等；半导体热电器件如热敏电阻、温差发电器和温差电致冷器等。

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS），双极晶体管（BJT），结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。