igbt器件开关速度（igbt 开关电路）

发布时间：2023-06-18

阅读量：39

本文目录一览：

IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高，Id 越大。

特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗小，通断速度快，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化。

工作特性：静态特性 IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性，IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。

额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数，额定工作电压、电压波动、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数，引线方式、结构也会给IGBT选型提出要求，再就是考虑性价比和供货。

IGBT开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。IGBT开关速度低于电力MOSFET，电压、电流容量不及GTO。

1、IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

2、而MOSFET的特点是，功率容量小，开关速度快。而IGBT的特点是介于二者之间的。就是说IGBT的特点是功率容量较大，开关速度较快，能力比较综合。

3、IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有CE电压。

从本质上来讲，IGBT无法控制电流的大小，IGBT只是一个开关器件，当接于电路中时，用于控制电路的通断时间。

IGBT将场效应管的开关速度快、高频特性好、热稳定性好、功率增益大及噪声小。根据查询相关信息显示，igbt是与双极型大功率三极管的大电流、低导通电阻特性集于一体，是性能较高的高速、高压半导体功率器件。

流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

igbt器件开关速度（igbt 开关电路）