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1、目前国内外半导体行业和光刻胶行业很多知名企业都选择了K-MAC膜厚仪。广州金都科恩精密仪器有限公司是中国的总代理,您可以通过访问企业网站了解更多关于不同应用仪器的信息。
2、我认为1万元以下的还是中科朴道的好,可以说是国产里面最好的,我用过很多家的,包括进口德国尼克斯的,德国EPK的,美国狄夫斯高的等等。
3、手持式X荧光光谱仪、X射线镀层测厚仪、膜厚仪、电解测厚仪等分析检测仪器。
4、对于薄膜厚度测量,深圳大成精密一直持续加大研发投入和不断致力于技术创新。大成精密光学干涉测厚仪专为透明薄膜开发的光学干涉测厚仪能够良好地实现单层或多层透明薄膜的厚度测量。
5、涡流测厚仪和磁性测厚仪一般都是小型便携式设备,分别利用了电涡流原理和电磁感应原理。专用于各种特定涂层厚度的测量,用于测量薄膜、纸张的厚度时有出现误差的可能。
6、有涂层测厚仪、膜厚仪等仪器,常用的原理如超声波、X射线等原理,要根据你所测的材料和膜厚度来选择,目前国产、进口都有不少厂家。如时代、牛津、EPK等,自己到网上一搜都有了。
1、单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
2、单向可控硅的检测。万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
3、检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节5V干电池,以提高触发电压。 晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法: 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。
4、可以自己做个建议试验装置。方法是:找一台“可控硅电源”,把里面的可控硅拆下。用绝缘板做个支架用来简单固定待测可控硅。把可控硅电源里面那四根线引出来(两根粗的两个细的)接到待测可控硅上。
5、单向可控硅用万用表的R乘1欧挡。用红黑笔测任意两引脚间的正反向电阻。找出读书为数十欧姆的一对引脚,其中黑表笔为G极,红表笔为K极,空引脚为A极。
1、检测双向可控硅同单向可控硅,找出数十欧姆的两个引脚,其为A1或者G极,空引脚为A2极。认真测量量引脚间的正反向电阻,读书较小的一次,黑笔接A1极,红笔接G极。
2、可控硅测量好坏可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
3、用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
引脚向下,字朝自己。pcr606是一种三极管,可以引脚向下,字朝自己判断好坏,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
pcl六零六可控硅测量的方法是用可控硅电流表行测量。可控硅电流表行可以清晰显示可控硅测量的每一组数据,能够清晰直观得到pcl六零六的数值。
PCR606J是600V 0.6A微触发单向可控硅,可以用BT169D、BT150-600R、2P4M替换。可控硅(SCR是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。
PCR606是600V 0.6A微触发单向可控硅,不能用常见的单向可控硅替换。可以用BT169D、BT150-600R、2P4M代换。
对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。
单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
测量可控硅好坏的方法如下:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
判断可控硅的好与坏最简单的方法:用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是TT1或TG极(对双向可控硅)。
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