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通过对实验箱上结型场效应管的测试认识N沟道J EET场效应管的电压放大特性和开关特性。
结型场效应管电压放大倍数。放大倍数AV是输入输出电阻决定了得出的。如输入电阻Ri=7M，RD=5K。放大倍数应为AV=7X5=-35gmK。
估测场效应管的放大能力 将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。
放大倍数，不同的电路图，求法不同。有一种电路放大倍数=跨导*Rd；还有一种=Rd/Rs。具体情况你可以看一下小日本写的《晶体管电路设计（下）》，书写的非常好，简单易懂。
1、更换增益更高的IC 。增加放大级数 。采用带宽更大的IC，同时减小负反馈深度。减小前级输出阻抗，增大后级负载阻抗，两者可以单独或者同时进行。
2、怎么可能有这种电路啊？直流是没法这样放大的，原理上行不通的。
3、它可以将一个很小的输入信号电压放大几十倍甚至上百倍。它的放大原理简单说来就是，通过放大电路，MOS管的漏极可以输出一个跟随输入信号电压变化的电流。然后这个电流就在电路中的漏极电阻产生了压降。
1、截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。
2、这是单个硅片的功率容量太小了（单个硅片电压不够，电流也很小，约一二十毫安），要想带动电机需看电机的工作电流与工作电压，用多个硅片串、并联才行。
3、A这样大的电流，而又是5V这样低的电压，应该用大功率MOS管，大功率MOS管的导通电阻可以小到毫欧级，如果用可控硅或大电流开关晶体管都会损失一些电压（至少损失0.3V）。
4、低端驱动即可，常用的IRF840 640都可以，大功率vmos管电压降低，驱动几乎不消耗输出电流，而且内部有防止感性元件击穿的保护稳压管，输出电流相当大，IRF840可以输出电流18A，功耗125W.作为驱动直流电机相当理想。
5、很简单，你观察信号输出与输出端就可以判断，共漏输入是栅极G，输出是源极S，漏极接电源在交流等效时是直接接地的。
6、mos管的源级电压等于pin5的电压。但送到电阻上的电流可以比较大，这有mos管的能力决定。这个电流也就是mos管的漏极输出电流。而且这个电流是个恒流。
1、MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。
2、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
3、MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。MOS管比较抽象，是因为绝大部分学校对于MOS的教学比较粗糙，很少教。MOS管特别怕静电，要是不小心，就容易坏，比三极管要难使用。
MOS管和BJT都有线性工作区和饱和区，当其工作于放大状态时处在线性区，相应的输入输出量成线性关系；而位于饱和区的输入输出不成线性关系。
MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
所以β没有量纲。MOS管具有放大作用的基础是电压vgs对电流id的控制作用，这个控制量是gm，定义 gm=id/vgs，电流被电压除，它的量纲应该是电导。但是电压电流不在同一个回路中，所以过去就命名为跨导，回来才改成互导。
MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。作用：可应用于放大电路。
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