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晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。 当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正氏仔罩偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。 在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正确,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。 由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得: Ie=Ib+Ic 这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即: β1=Ic/Ib 式中:β--称为直流放大倍数, 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为: β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数,戚腔由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为歼闹了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。 三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。
发射极电流=集电极电流+基极电流。
即发射极电流等于集电极上的电流与基极电流之和,稿态这就是三极管中的三个电极上的电流分配关系。
发射极和集电极电流基本上是一样的,而基极电流和拿敬早发射极电流是倍数关系,即发射极电流是基极的若干倍,而这个倍数是各个三极管会有不同的,小到几倍、十几倍,大到几十倍、二消雀三百倍都有。
三极管各电极上的电流分配关系为:发雀携尺射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE,集电极电流IC大于基极电流IB,集电极IC=β基极IB。
晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative)。
N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大顷高量空穴利于导电)。
扩展资料:
三极管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部隐改件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。
由于三极管基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic。
只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic。
参考资料来源:百度百科-三极管
三极管是电流放大器件,如果在放大状态下,基极与集电极电流有固定的倍数关系(取决于三段森极管的自身参数斗燃慎);
放大状态下,发射极空敬电流=集电极电流+基极电流。
e,b,c三个极
发射极电流ie=基极电流ib+集电极电流ic
三级早绝管是电流放大器陆滑姿件,在放大状态下,ib与ic与成固定比例,这是三级管的一个让和很重要的参数,用β表示。
ic=βib
β一般从几倍到上百倍都有。
三极管的电流分配关系是基极电流等于发射极电流加上集电极电流。源知根据查询相关公开信息显示:在工作时,三极管中的电流会从基镇盯极流入,通过发射极流出,并最终进入集电极,根据基尔霍夫定律,在任何一个电路节点处,电流的代数和必须为零,因此,在三极管中,基极电流等于流入发射极的电流加上流出集电极的电流,也就是说,基极电流等于发射极电流加上集电极电流雹旅消,这种电流分配关系在三极管的工作原理和设计中具有重要的意义,对于三极管的选型和应用都非常重要。三极管是一种常见的电子元器件,其内部由三个不同的区域组成,分别是基极,发射极和集电极。
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