1200v可控硅（可控硅1225）

发布时间：2023-06-18

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1、电容就需要根据你的线圈来选择容量，耐压不能过低，第一次做用450V的并联就行了。电容组与发射线圈间最好串联一个二极管来防止电磁振荡。

2、控制电路用可控硅，根据测出的线圈电阻与所需电压计算后购买相应的可控硅。建议先用市电测试电磁枪的性能，再用升压电路模块代替市电充电模块。升压电路建议从网上找我自己也不会设计，或者直接找成品，自己做还是有一定危险。

3、你好：——★线圈不可以看成是“短路”，也不可以看“电阻”的：“线圈是电感性负载，当线圈中的电流增加的时候，线圈会产生反电势阻止电流的增加...”这是物理课教材上的一句话。

4、而测量电压档是利用外界电压，依据元件对电流的阻流原理，流过电流大小表现在指针刻盘（或数字显示）。每次使用前先检查清楚，特别在大电流、电压比较高的时候要特别注意，这种情况下表档位错了就容易造成很严重的问题。

5、当晶闸管承受正向阳极电压阻断，而门极未受电压的情况下，晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。

1200v可控硅（可控硅1225）

1、一般情况下，TYN1225属于单向可控硅参数，电流为25安，电压1200伏，可用4OTPs12代替，其参数电流为4O安，电压1200伏。TYN1225和4OTPs12都是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管，可相互替换。

2、TYN1225是单向可控硅，触发电压无要求，只对触发电流有要求（25mA），电流 25A ，电压1200V。

3、单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。

4、这个元器件不是三极管，而是ST公司的可控硅 1200V， 16A，管脚排列看下图。

5、可以的，但注意两者的触发电流有些差别，电路触发信号强的话，完全可以替换。

可控硅不能正常工作，380V*5倍以上约等于：950V左右，一般可控硅电压档位是：600V，700V，800V，1200V，1600V所以选择1200V，这样考虑了客户生产成本。

当电网电压小于220V时，双向可控硅SCR2控制极上的电压也随电网电压减小而降低，致使VD2导通角小，C1端电压上升，从而使双向可控硅SCRI控制极电压升高，使输出电压上升。反之，输出电压下降，达到稳压。

建议查该可控硅具体参数：触发电压、电流，根据参数修改电路，减少电路引入干扰。补充：双向可控硅触发灵敏度对2个极是不同的，一般规定其中1个极。是否电容接的“极”不对？如果不能排除故障，也可能元件性能不良。