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单凭三极管上的印字是没有办法准确定出型号的,这和电阻上的印字不是一个概念。一般抄板厂都有一个三极管印字和具体型号的对应表,网上也有下载,但这个对应关系不是唯一的(一个印字下面对应多种型号是很常见的)。
CY1 CY2 CY3 CY4都是位号,是最初设计的人自己定义,作用是表明器件在板子上的位置,有一些约定俗称的定义方法。集成电路板分类:按功能结构 集成电路板按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路板和数字两大类。
其次则是两者的绝缘类型不同,Y1属于双重绝缘或者说加强绝缘;Y2属于基本绝缘或附加绝缘。
贴片三极管2L和Y2封装不同:2L 是三极管2N5401或者是2N4403的代码,NP,150v;Y2 是稳压二极管BZX84-C12,3W 12V±5%。功率不同:贴片三极管2L和Y2,Y2功率比2TY功率要大。
y2是一个25v1000mA的pNp型贴片三极管,可用2TY或8050以及2000mA的2A代换,如果y2的功率余量很大,也可用500mA的2T、2L和600mA的1p。
y0到y2是支持高速脉冲输出的输出端口,因此它们的硬件都是支持高速动作的,用的晶体管当然也得是能高速动作的了。而其它的输出端口不支持高速脉冲输出,不需要用高速动作的晶体管。望采纳。。
MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的。
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。
mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。
它是由金属、氧化物和半导体所组成,所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管,简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示,以一块P型薄硅片作为衬底,在它上面扩散两个高杂质的N型区,作为源极S和漏极D。
1、还有一种MOS晶体管,叫做MOS栅极控制晶闸管,是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺,在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件,通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。
2、一般来说,MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大,然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。
3、它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。
4、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。
5、MOSFET由三个极层组成,包括:源极(source):连接到N沟道区域,电流进入晶体管的端点。汇极(drain):连接到P沟道区域,电流流出晶体管的端点。连接极(gate):与N沟道区域相隔离,通过一层氧化膜与N沟道区域相连。
6、这种结构的一个例子是MOS 电容器,它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体 (例如硅)和中间绝缘层(例如二氧化硅)组成的双端子结构,因此指定O)。导带的最低能级和价带的最高能级。
1、MOS管被击穿的原因及解决方案如下:第MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏。
2、批量失效请查看驱动问题,个案请查IC和MOS的匹配问题。
3、如果只是主板 mos 管击穿,其它的部件都保护得好而没有问题的情况下,可以更换掉mos管(也可以龟背一个)。不过还是建议换主板,这样更妥当些。
4、负载过重或有短路。散热不好热击穿。电压不稳定造成。
5、轻微的后果就是损坏电动车电池,而最严重的后果则会直接导致电池烧掉甚至爆炸。控制器正负极短路,如果不是两根线连在一起的话,那就是内部的MOS管上下桥都被击穿,从而造成控制器正负极短路,必须换MOS管才能解决问题。
6、栅极驱动异常会造成三端的沟道全部击穿导通,驱动异常包括驱动电压过高过低或者驱动的波形变得不规律等等。
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