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建议买个MOS管的机器就好了。如果要烧0焊条的话就买IGBT的。现315以上的机器又分工业机和民用机。用量不大。就用民用机。用量大用工业机。这么说吧。以400A的机器组成基本是20个MOS管组成 单管是4个给成。
IGBT 是 绝缘门极晶体管，属于第四代逆变技术，是由MOS-FET 场效应管+大功率 晶体管 组合而成，小功率是单管IGBT，大功率 工业机用IGBT模块。MOS-FET，场效应管逆变技术， 属于第三代逆变技术。
首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。
江苏宏微科技有限公司的不错，还有模块。该公司在常州市。
1、IGBT一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比MOS管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。
2、IGBT比MOS功率大频率高关断能力好。一般用于高电压大电流中频以上电路上，逆变电焊机大部分采用IGBT很少用场管。
3、IGBT技术更加成熟，焊机相对故障率更低。IGBT管可以看作由MOSFET和PNP晶体管组成，一般用在高频电源里，是通过MOSFET的G点上加一个正向电压时，MOSFET导通，给PNP晶体管提供一个基级电流，使IGBT导通。
4、各有各的特点，MOS可以高频工作，允许的漏源极电压较低，价格较低，它的定位是民用机型。IGBT可以做到高耐压，大电流，可控性好，性能稳定，价格也高。
5、小功率是单管IGBT，大功率 工业机用IGBT模块。MOS-FET，场效应管逆变技术， 属于第三代逆变技术。
焊机用IGBT管和MOS管的区别 MOS管一般用在小功率焊机上，MOS管一般特性就是小电流比较稳定，成本低廉，小型号民用机用的比较多。IGBT一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比MOS管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。
焊机用igbt管和mos管的区别 mos管一般用在小功率焊机上，mos管一般特性就是小电流比较稳定，成本低廉，小型号民用机用的比较多。igbt一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比mos管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。
IGBT优于MOS管。IGBT焊机是第四代逆变技术 绝缘门极晶体管。mos-fet 焊机是第三代逆变技术 场效应管。IGBT焊机线路比MOS管简单。故障率也低。
IGBT单管和MOS管的区别：从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。
首先一个从外形上面区别：IGBT 绝大多数是TO-3P封装，要大一些。MOS管 大部分为TO220封装要小一些。（当然不能说绝对）其次如果从元件内部去分析。一般IGBT，里面是内置有一颗快恢复二极管，而MOS管一般没有。
IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。
IGBT单管为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
单板焊机中单管IGBT属于绝缘门极晶体管，第四代逆变技术。体管简称场效应管，属于第三代逆变技术。单管IGBT属于绝缘门极晶体管，第四代逆变技术。相对MOS管皮实耐用，MOS场效应管，属于第三代逆变技术。
1、要说质量肯定是英飞凌的好，那是没话说的。但是相对的价格也很高。像国内的嘉兴斯达的IGBT模块，芯片是采用英飞凌的，封装是自己装，所以质量上和英飞凌相差不大，但价格上比英飞凌便宜很多。富士的芯片跟英飞凌还是要差的。
2、斯达半导 嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业。股票简称：斯达半导，代码：603290。
3、当然是安森美半导体了，这是业内公认的。安森美半导体美国纳斯达克上市，在半导体领域是数一数二的了吧。在IGBT方面知识产权和专利很多，自1999年就是为美国半导体业协会（SIA）会员。
v电焊机mos耐用 IGBT 是 绝缘门极晶体管，属于第四代逆变技术，是由MOS-FET 场效应管+大功率 晶体管 组合而成， 小功率是单管IGBT，大功率 工业机用IGBT模块。MOS-FET，场效应管逆变技术， 属于第三代逆变技术。
IGBT绝缘栅极晶体管，属于更成熟的第四代逆变技术。相比落后的MOS-FET场效应管第三代逆变，焊机零部件更少，故障率更低。
当然是IGBT模块的好了，IGBT可控性好，过载性好，性能稳定，当然价格也高。它的定位就是工业机型。一般在400以上。现在有不少单管IGBT的焊机，价格跟MOS管的差不多。
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