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首先选择动作电压。根据电路的额定工作参数以及预期抑制的冲击参数来选定州此。一般烂拿比工作电压留出25%~50%的裕量。
其次选择容量。这需要根据预期的冲击参数来选定了,例如600W、1000W……看你要打什么样的冲击类型。
对于信号线还要选择结电容较小的型号,避免影响信号线正常通讯饥迹搭。结电容低的型号都好贵……
TVS瞬态抑制二极管选型选型全攻略,看看您也知道:
一、TVS二极管选型指南
1)要确定被保护电路中的最大直流或连续工作电压,电路的额定标准电压和“高端”容限;
2)TVS管的额定瞬态功率要大于电路中可能出现的最大瞬态浪涌功率;
3)TVS管的截止电压要大于被保护电路的最高工作电压;
4)TVS管的最大钳位电压要小于后级被保护电路中的损坏电压;
5)确拆桥弊定好TVS管最大箝位电压后,其峰值脉冲电流要大于瞬态浪涌电流;
6)对于数据接口的电路保护,还需注意选取具有合适电容的TVS二极管。比如:当信号频率或传输速率较高时,应选用低电容系列的TVS管;
二、TVS二极管参数详解
• VRWM :截止电压, TVS二极管的最高工作电压,可连续施加而不引起TVS二极管劣化或损坏状态下消姿,达到的最大的直流电压或交流峰值电压。 在VRWM下,TVS二极管是不工作的,不导通。
• VC:钳位电压,施加规定波形的峰值脉旅族冲电流IPP时,TVS二极管两端测得的峰值电压。
• VBR:击穿电压,是TVS管的最小雪崩电压。指在V-I特性曲线上,在规定的脉冲直流电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS两端的电压。
• IR:漏电流,亦称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下,流过TVS二极管的最大电流,其值是在截止电压下测量的。
• IPP: 峰值脉冲电流,一般在10/1000μs电流波形下的峰值。
• IT:测试电流。
• C:电容值,对于同功率等级的TVS管而言,电压越低电容值就越大。在通信线路的防护中,尤其要注意TVS管的电容值。
• 封装形式:从TVS管的封装形式,可以看出其功率大小。TVS管的芯片面积直接决定其功率等级。
三、TVS二极管选型注意事项
1)规格书手册给的只是特定脉宽下的吸收功率峰值,而实际电路中的脉冲宽度是变化不定,心里要有个数,对宽脉冲要降额应用;
2)对于小电流负载电路的保护,要有意识地增加限流电阻;
3)要注意TVS二极管的稳态平均功率是否在安全范围之中;
4)要考虑温度变化,正常而言,瞬态抑制二极管在-55°C到150°C之间工作,电路中温度比较高的情况下要降额应用;
5)TVS瞬态抑制二极管的引线长短,要与被保护线路相对。
6)针对数据接口或通信线路中的防护,要尽可能选取电容值比较小的TVS二极管。
7)直流保护电路大多选单向TVS管,交流保护电路大多选双向TVS管、多路保护电路选TVS阵列器件,大功率保护电路选专用保护模块。
8)在使用TVS管过程中,考虑到TVS的离散性,尽量减少串/并数量。
四、TVS二极管典型应用
TVS二极管由于具有极快的响应速度,低钳位电压,精准电压等优点,因而应用于对保护器件要求比较高的场合领域,汽车电子、家、工业 控制、照明,通信、医疗等行业,如DC电源线,RS485接口,通信电源,I/O口等。
二极管是大家工作中常用的器件。为什么二极管只能串禅睁启联?今天一体~串联连接时,需要注意静态断电电压和动态断电电压的对称分布。静态情况下,串联连接的各元件截止泄漏电流有制造偏差,有时会达到发动机停止状态。但是,如果部件有足够的发动机稳定性,线路就不需要采用均压电阻。只有在串联连接了截止电压大于1200V的元件时,一般需要施加并联电阻。如果假设截止泄漏电流不随电压变化,则可以为n个具有某个截止电压VR的二极管的串联电路获得简单的电阻计算公式。上述Vm是串联电路中电压的最大值,Ir是二极管漏电流的最大偏差,条件是运行温度为最大值。原则上,动态电压分布与静态电压分布不同。如果一个二极管的pn结的载波比另一个小,它也很快受到电压。如贺如果忽略电容器的偏差,则在串联连接被赋予了截止电压值Vr的n个二极管时,能够采用简单地计算并联电容器的方法。上述QRR是二极管蓄电量的最大偏差。除了续流二极管断开时出现的蓄电量外,电容器中存储的电量也需要由接通中的IGBT交接。根据上述设计公式,发现总蓄电量的值可能达到各个二极管蓄电量的2倍。要减小并联连接时的导通电压偏差,判断二极管是否适合并联的一个重要参数是其导通电压的温度依赖性。如果导通电压随着温度的上升而下降,则具有负温度系数,在典型的并联APP应用中,这是优点,因为发热二极管接收低电流,这将导致系统的稳定。但是,在二极管并联情况下,在较大负温度系数下,有可能破坏温升平衡。并联二极管引起热耦合多个芯片在并联模块中通过基板,如果多个模块并联连接在一块散热片上,则通过散热器一般相对于较弱的负温度系数,这种热耦合最低导通电压其中,负温度系数值对于2mM/K的二极管,建议降额使用,使总额早塌定电流小于各二极管的额定电流的总和。
肖特基二极管是德国科学家肖特基掘基备(Schottky)1938年发明的。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型半导体材料与金属在一起结合形成金属一半导体结。肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短(10ns以内)等优点。
应用特点锋枣:适合于高频判毁、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等。
关键词:电容 二极管的应用 特基二极管 结电容 二极管串联 二极管选型 低电容 电容的 二极管降额 二极管参数 肖特基二极管 瞬态抑制二极管 抑制二极管
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