mos管做电容（mos管做电容的工作状态）

发布时间：2023-06-18

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本文目录一览：

1、MOS管的工作原理
2、mos管给电容直接放电
3、开关电源中,MOS管吸收电路处电容和电阻怎么选择?
4、说明mos晶体管包含哪些电容及其物理含义
5、MOS管加电容什么作用

MOS管的工作原理

一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。

mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。

工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。

工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

mos管做电容（mos管做电容的工作状态）

mos管给电容直接放电

一个示意图，K是一高阻抗的继电器，吸合电压VX，释放电压VF，1—2是K的常闭触头、1—3是K的常开触头。

mos管因其栅极与漏极之间是存在绝缘栅的，因此栅极和漏极之间是有电容存在的，可以直接作一个小电容来使用。mos管做dummy的方法是把两端围住，全接地即可。

只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

当然是短路啊，把电容2个引脚都对地，相当于将电容2个引脚接在一起短路。如果这是一个1uF以下的电容，电压12V以下，这样短路是不会有什么危险的。

开关电源中,MOS管吸收电路处电容和电阻怎么选择?

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

放电电阻RT也是，你频率高了，需要尽短时间把MOS--G极电位归零，所以电阻小些，反过来大些，但是这样也要牺牲一点驱动电流的，所以要折中选择。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

说明mos晶体管包含哪些电容及其物理含义

这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。

MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。定义：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

覆盖电容是指在MOS晶体管结构中，门极金属和通道之间形成的电容，它的大小与门极与通道间的距离、氧化层厚度和通道的宽度等有关。

MOS管加电容什么作用

1、用来吸收MOS开关瞬间的纹波的，起到保护MOS的作用，那颗电容有个专门的名字“Snubber”，容量并不一定都是0.1uf，根据实际情况选择。

2、软启动功能，可以减少浪涌。高压小电容有软启动功能，可以降低电动机的起动电流，减少配电容量，避免增容投资。软启动器是一种集电机软起动、软停车、轻载节能和多种保护功能于一体的电机控制装置。

3、开关管漏极和源极的电容作用一是降低MOS管导通瞬间可能产生的浪涌电流，二是抑制MOS管栅极回路可能感应到的空间电磁干扰使MOS管误导通。

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