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主要用于高频振荡，放大电路中。（3）低频率大功率三极管是指特征频率小于3MHz，功率大于1W的三极管。主要用于通信等设备中作为调整管。
三极管具有电流放大作用，它是一个电流控制器件。所谓电流控制器件是指，它用很小的基极电流来控制比较大的集电极电流和发射极电流。
我想知道三极管的分类及各针脚的作用。解析：如果按放大原理的不同，三极管分为双极性三极管（BJT： Bipolar Junction Transistor）和单极性（MOS/MES型： Metal-Oxide-Semiconductor or MEtal Semiconductor）三极管。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。
三极管作用：把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。在放大电路中的三极管有三种基本的放大电路，既是共发射极放大器，共集电极放大器和共基极放大器，它还可以组成多级放大器等许多放大电路。
三极管的结构和分类 其共同特征就是具有三个电极，这就是“三极管”简称的来历。通俗来讲，三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。
锗管的be电压比低0.3V左右，硅管的be电压在0.65V左右。
一般的，如果是插件三极管，平面朝“我”，脚朝下，从左到右，ebc。如果是贴片的，贴片面远离，背“我”，成“六”字，“六下撇（/）开始，123bec。这是一般情况，但是又些厂商的有些型号的有些产品不符合一般情况。
：当c极电压高于其他两极说明是npn管，此时另两极中电压较高的是b。3：当c极电压低于其他两极说明是pnp管，此时另两极中电压较低的是b。
这时我们可以肯定基极和发射极，一定是分布在电压为4V和4V这两个管脚上，如果是PNP那么就应该是发射极的电位最高，现在可以肯定发射极不在9V的管脚，所以这个管脚就是集电极。而只有NPN才是集电极电位最高。
三极管穿透电流测量判断 用万用表检查管子的穿透电流Iceo，是通过测量集电极与发射极之间的反向阻值来估计的，如果穿透电流大，阻值就较小。
从你的例子看很明显是一个NPN型硅三极管，：1脚为c，2脚为b，3脚为e.---原因很简单：（1）判断类型：硅管，锗管。因为三极管中be的电压：硅管为0.6 左右， 锗管0.2左右 （现在使用的98%都是硅管。
复合三级管是 分别选用各种极性的三极管进行连接，在组成复合三极管时，不管选用什么样的三极管，这些三极管都按照一定的方式连接，可以看成是一个拥有更高放大倍数的三极管。
指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。三极管的分类 a.按材质分： 硅管、锗管 b.按结构分： NPN 、 PNP。
材质划分 按材质划分，三极管可分为硅管材质的三极管和锗管材质的三极管两种。按照结构划分 按照结构划分，三极管可分NPN型三极管和PNP型三极管两种。
我想知道三极管的分类及各针脚的作用。解析：如果按放大原理的不同，三极管分为双极性三极管（BJT： Bipolar Junction Transistor）和单极性（MOS/MES型： Metal-Oxide-Semiconductor or MEtal Semiconductor）三极管。
晶体管各种分类例举：按封装分： 金封管和塑封管。具体的封装搜索“三极管封装”等关键词。按安装工艺分：插脚管和贴片管 按材料分： 硅管和锗管 按频率分：超高频管，高频管和低频管。
1、一只标志不清的晶体管三极管，可以用万用表判断它的极性，确定它是硅管还是锗管，并同时区分它的管脚。
2、这样的判别还有意义吗，不会是哪个守旧的学校出的考题吧？锗三极管早已淘汰，还用去学习判断啊。
3、区分三极管材料是硅还是锗的方法：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
4、通常用管压降来判断是硅管还是锗管。因为两者的正向管压降差别很大，硅管为0.7伏左右，而锗管只有0.3伏左右。
5、：锗管be在0.2左右，硅管be在0.7左右，所以两个电压相近的是b、e，另一个电压相差较大的是c。2：当c极电压高于其他两极说明是npn管，此时另两极中电压较高的是b。
6、用万用表测量：硅管反向电阻大，锗管反向电阻相对小。用JT仪器测量：硅管正向电压为0.7V，锗管正向电压为0.3V。
1、表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
2、DD4E：NPN型合金扩散性硅管，用于低频功率放大及直流电压变换电路中。
3、表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。
4、三极管的hFE参数与贮存时间ts相关，一般hFE大的三极管ts也较大，过去人们对ts的认识以及ts的测量仪器均较为欠缺，人们更依赖hFE参数来选择三极管。
1、SC2458是东芝低噪声音频用管，按其低噪声性能代换用2SC2240，一般代换就用2SC945。
2、可以找日本东芝牌子的2SA1837替换。CA1837完整型号是3CA1837是220塑封管，参数230V，1A，20W。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
3、只要参数相似是可以代换的，你这需把脚位功能插位改到PNP型的插位就行了，我以前就改成功过。我不赞成一楼的说法。其实是可以变通的。
4、SC8050和2N5551都属于三极管，二者具体区别如下：作用不同 2SC8050：在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。2N5551：用作高压开关管、做中功率功放、做视频放大器。
5、三极管2sc1827严格上不能用2sd880代替，参数较低；替换原则是：最大集电极耗散功率Pcm不小于原用管；最大集电结反向击穿电压Vcb0不小于原管；最高工作频率f(振荡频率fT)不小于原管。
6、不能替换。理论上电流大的能够替换电流小的，耐压高的能够替换耐压低的，功率大的能够替换功率小的，管子不会损坏。
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