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mos管型号解释（mos管的型号怎么看）

发布时间：2023-06-18
阅读量：56

本文目录一览：

主板MOS管的型号怎么判断?更换的时候应该注意什么?p0903bdg这个型号代表...

1、只换烧焦的就可以，不过你最好拿电笔或者找电工给你测试一下周围电路看看是不是由于其他的地方短路或者电流过大造成的。

2、华硕从p55开始喜欢用nxp的mos管。之前喜欢用nikosemi。微星从p45开始喜欢在高端主板上用renesas的drmos，有时也用onsemi。技嘉从p35开始用necel的mos，necel被收购后换了onsemi。低端板子也是nikosemi的天下。

3、肯定是P沟道换P沟道，N沟道换N沟道的，但是并不是单纯地只看这一点。

4、MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

MOS如何从型号判断N型还是P型

1、指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。

2、纠正你一点，MOS管可不叫P型和N型，那是掺杂半导体的专用称呼。应该称作N沟道，P沟道，否则会被内行笑话的。

3、类型一样就可以替换如何判断MOS管是什么类型（取下来放电后再测量）N沟道：万用表打到二极管挡，黑笔接D极，红笔接S极，测出来 有阻值400-700欧，反向无穷大“1”，此管为N沟道。

4、很简单，看转移特性曲线所分布的象限即可。如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。

5、看型号，看符号，还有看规格书。规格书上都标明的。还有可以看寄生二极管的方向。

常用MOS管有哪些型号?

1、MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

2、IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。

3、MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。

4、MOSFET也叫做绝缘栅型场效应管，分为：N沟道增强型管 ，N沟道耗尽型 管；P沟道增强型管 、P沟道耗尽型管。

MOS管上面的数字代表什么含义

1、场效应管 TPC8118，SMD(SO)封装，TOSHIBA产品，P沟道， 电压-30V，电流 -13A，电阻 0.007Ω 。型号就和人名一样，分类识别符号啦。

2、焊机上的mso管上的数子代表的如下：代表该焊机为逆变焊机。逆变用的开关器件为MOS管（场效应管）。

3、NO3L：06表示这个管子的最大工作电流、N表示N沟道、03表示工作电压（数字的十倍）、A0231是生产周期。

mos场效应管p型和n型如何区分

1、场效应管的分为N沟道和P沟道。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

2、场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

3、MOSFET-P和MOSFET-N的区别：MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

4、）N、P沟道如何区分？箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3）寄生二极管方向 N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。MOS管导通条件 N沟道：UgUs时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。

5、注：只适合主板上场效应管的代换）一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。

MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

G D S分别是栅极 漏极 源极，通过GS之间的电压，控制DS之间是否导通，建议百度文库 mos，有详细的文档。

GSD分别是栅极，源极，漏极。栅极控制开关，源极载流子流入，漏极载流子流出。nmos管载流子是电子，所以一般源极接低电压，漏极接高电压。pmos管载流子是空穴，所以一般源极接高电压，漏极接低电压。

关键词：电阻 mos管 输入电阻 二极管的方向 寄生二极管

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