栅漏电阻（栅漏电阻调整）

发布时间：2023-06-19

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栅漏电阻一般在200-300千欧之间，取大了300B管略微不安全，取小了你要加大耦合电容的容量来保证R*C=时间常数最低频率的周期，而大的耦合电容寄生参数和漏电都会大些，会影响音质。

电子管阴极电阻：功放级需要3~5W以上，因为阴极电阻发热严重的话容易造成工作点漂移。前级阴极电阻相对功率较小，有1W就够了。阳极负载电阻取2W即可。其他像栅漏电阻、负反馈电阻1W就行。

次级电阻才0.5欧，对喇叭的控制力强，结实有力。

b单端输出8w左右，功率不是很大，最好配高灵敏度音箱提高声压。立体声不需要另外的解码器。cd机还是用频响好的。品牌我就不推荐啦。

1、⑺ 脉宽调制电路有问题，不能对开关电源输出电压的变化做出正切的响应，对电源开关管基极电压调整方向大小不对，从而造成开关电源输出电压低。

2、但是，场效应管放大电路的输入电阻很大，可达10M欧或更大，当所串R达到这样大的值时，由于所用毫伏表的内阻也是很大，在毫伏表的输入测量线上就会产生出几毫伏的感应电压，就会发生测量出Ui比Us大的情况。

3、G没电压，Ds对地都是5V，可能管子击穿了。因你测G电压时，G对地已完成放电，正常时DS应截止。

4、BSP250为P沟道MOS管，你描述的情况不具体，因为Vg=2~6V，可能是此管工作在高频开关状态。根据所描述的电压来看，当Vg2V时，此管导通，Vg2V时，截止。建议用示波器观察。

5、栅极和源极和栅极漏极之间的电阻几乎可以算无穷大，而源漏极之间的电阻则要看场效应管的类型、型号和外加电压，加电压和不加电压会不同，电压高和电压低也会不同。

栅漏电阻（栅漏电阻调整）

那是电源——集成电路（IC）是将电路做在一块半导体芯片上的器件，而这些电路由双极结型晶体管BJT或单极型的场效应管FET构成，需要加上电源才能工作。

在电路里：VDD的意思：电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电路）；漏极电压（场效应管）。VCC的意思：电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（Voice Controlled Carrier)。

Vdd 来源于漏极电源电压，Drain Voltage，用于MOS晶体管电路，一般指正电源；因为很少单独用 PMOS 晶体管，所以在CMOS电路中Vdd经常接在PMOS管的源极上。

漏极 D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。建议选用芯片时一定要看清电气参数。

源漏电阻与以下因素有关：高斯掺杂的峰值浓度；高斯分布的偏差；漏区结深，导电沟道距离电极的长度；栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。

场效应管的电压放大原理实际上是改变本身的电阻值从而改变了与负载电阻的分压比，所以电压放大倍数不如普通晶体三极管大。但电流放大倍数极大，因为栅极几乎无电流（甚至绝缘）。

mos管栅极电压太低的影响很大。具体如下：mos管栅极电压太低会导致mos管导通不完全，内阻增大，发热量增加。mos管栅极电压太低影响电阻，电压越低电阻越大，会导致保险丝烧断。