mos管驱动电流计算（mos管驱动电流计算器）

发布时间：2023-06-19

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mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

一般情况下，MOS管发热，无非就是两种情况：第一，MOS管的内阻太大；第二，MOS管未完全开启，内阻也是很大的。

Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；第三种：以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。

那么驱动功率W=E*K，电流在电阻上的回路几乎可以忽略，这就为什么说MOS管静态损耗小的原因，可是作为开关管的话，电流大小就跟频率成正比，栅极的寄生电容是并联在G S极的，这个就是回路。

是通过精准控制栅极电压来实现的。有空的话，百度下，多多主动去了解相关知识，没有坏处的。

也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。

mos管驱动电流计算（mos管驱动电流计算器）

1、mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

2、也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是我们曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。

3、MOS管是电压驱动不需要电流，电流只用于栅极电容充电。

4、mos管是目前需要驱动电流最小的器件之一，5A左右的mos管很容易找的，当然你也可以用大于5A的来代替，一般的普通功率的也就一两块钱，贵的十几元二十几元。

1、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

2、mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

3、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

3、在场效应管的放大电路中，为实现电路对信号的放大作用，必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压，使场效应管工作在特性的恒流区。

4、可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。

5、恒流区状态。源极跟随器，是用得比较广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管，该电路由于输入电阻大，输入电容小，所以源极跟随器的放大管在工作时需要在恒流区的状态来保持输入输出的电阻、电容平衡。