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高压功率器件开关速度更慢(高压开关速断原因)

发布时间:2023-06-19
阅读量:52

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高压开关柜摇出时是否要求速度速度慢有放电声

1、主要原因是爬电距离不够,以及电场分布相对集中。象这种电缆头部放电的情况没碰见过,可能是电缆头或柜内铜排存在尖端导致。

2、还要考虑此配电柜是否存严重的单相负载。这样产生的电动力也不平衡,会有震动声(运行经验)发生这种情况一般有如下原因:母排选型不当,电流太大;母线支撑点太少;支撑母线夹固定松动。

3、出现声音主要是三种,交流噪声、放电声和机械噪声,请你仔细分辩一下,分辩出来了,对策也就有了。如果过去没有声音,请反思近期有什么变动,可助你分析原因,特别是检修后个别接地没有接好。

4、接临时负载时,必须装有专用的开关和熔断器。二次回路通电试验时,为防止由二次侧向一次反变压,除将二次回路断开外,还应取下一次熔断器。

为什么要提高器件的开关速度

这是由三极管本身决定的,要提高就只能换器件了。

高频化只是提高了开关器件的开关速度和电压电流频率没有关系。

加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10—100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。场控器件静态时几乎不需输入电流。

逆变器三极管上面写的KW40N120K是什么意思?

MOSFET、IGBT都是压控器件,三极管是流控器件,自身的损耗一定更大、开关速度更慢。

不一定。需要看实际运用的电压。耐压不够会击穿。耐压余量太大会导致导通电阻大,损耗也大。

贴片三极管可以用2SC2859-GR代替。2SC2859-GR NPN三极管 35V 500mA/0.5A 300MHz 200~400 250mV/0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 WG 音频低功耗放大。

你好:这串代码代表着KW25N120A2三极管的参数。这是一种高反压(600v)、低放大倍数的NPN型硅材料高频大功率管,最大电流4A。常用于电动自行车充电器中。

参数不一样,因为电压支持不同,所以粗细规格也不同。40N150是40A/1500V。而40N120是40A/1200V。

开关电源启动慢,启动后功率不足,什么原因

1、你把高压侧的那个大电容换一个新的,容量大点没事不要小了。

2、.系统文件损坏 系统文件被破坏,如Win2K下的KERNEL3DLL,Win98 FONTS目录下面的字体等系统运行时基本的文件被破坏,系统在启动时会因此无法完成初始化而强迫重新启动。 【解决方法】覆盖安装或重新安装。

3、油、电路有故障。油路不畅,进气受阻,遭成混合和气过向过浓;点火时间过迟或触点间隙过序过大;发动机排气管漏气;高压分线漏电或脱落,分电器插孔漏电或窜点;分电器凸轮磨损不均或火花塞积炭过多,裂损漏电。

4、油、电路有故障。油路不畅,进气受阻,遭成混合和气过稀或过浓;点火时间过迟或触点间隙过小或过大;发动机排气管漏气;高压分线漏电或脱落,分电器插孔漏电或窜点;分电器凸轮磨损不均或火花塞积炭过多,裂损漏电。

5、光驱本身完好,由于主板或数据线故障,某些配件接触不良,导致台式机电脑光驱不能读盘。解决办法:采用替换法排除cpu、电源和其他配件的问题后,再用替换法将故障锁定在电源上。

6、有两种原因,一是带载启动,负载冲击过大,电子负载CC模式很可能会有过冲,引起保护。二是电源在满载时环路裕量不够,带载启动过冲直接导致环路不稳定。

如何加快mosfet的开关速度

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响,一般需要大于正负1A的驱动能力,栅极电阻不大于10欧,反向接二极管提高关断速度。

MOSFET的开关速度MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度。不存在少子储存效应,关断过程非常迅速。开关时间在10~100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。

MOSFET的栅极存在结电容,负压有利于更快的为结电容存储的电荷Qg,提供释放回路,从而加快开关速度。但是过快的开关速度会影响EMI。

帮你查了一下,晶体管中能达到10M的大功率器件只有SIT,也就是静态感应晶体管,一般的功率MOSFET管达不到,最高也就3MHz的样子。你这种速度的开关,还不如用高速光电耦合器,比如6N137这种(作开关用)。

可以看这个管子的数据手册,比如IGBT可以是20kHz,Mosfet可以是几百k,与管子的用途、质量、导通电流这些参数有关。

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