隧道二极管（隧道二极管原理）

发布时间：2023-06-19

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1、由于掺杂浓度大，耗尽层单位面积内正负离子多，所以只需要相对较窄的耗尽层就能建立起足够强的内电场来阻止多子的扩散运动。

2、按照半导体物理学，耗尽层(空间电荷区)就是掺杂造成的。自然，掺杂越多，耗尽层就越宽。你用的模拟电子技术基础写错了。老旧模电书写错的地方海多了。这是因为，半导体物理学是模拟电子学的基础。

3、高掺杂就好像我们加上了正向电压，正向电压会与内部接触电场相抵消，这也是正向导通的的原理，所以浓度高，建立起的耗尽层宽度也就窄了。当受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流，它随入射光强度的变化而变化。

4、势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度很窄，只要加很小的反向电压就能够建立起很强的电场，发生齐纳击穿。

隧道二极管（隧道二极管原理）

谐振隧道穿透二极管，Resonant tunneling diode（RTD）：这是由两个量子势垒夹有一个量子势阱而构成的一种两端量子器件，它是依靠所谓共振隧穿效应来工作的，具有负阻的伏安特性。现在它已经成为了纳米量子器件的一种基本器件。

负微分电导现象向人们展示了谐振隧穿二极管在毫米波和亚毫米波领域具有良好的应用前景。

当运动电子的能量E与阱中的某量子化能级En一致时，则将有很大的隧穿几率，即这时双势垒完全透明(透射率可达100%，即共振隧穿，这与隧道二极管不同)。

共振隧穿二极管(RTD)是基于量子共振隧穿效应的一种两端负阻器件，它属于一维量子化﹐能级间隙能△e远大于充电能C (AeC)的固体纳米器件，而具有纳米量子器件典型的器件结构——势垒包围势阱（或称岛）结构。

隧道二极管，又称为江崎二极管，它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管.其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。

隧道二极管是一种具有负阻特性的半导体二极管。隧道二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管。其电流和电压间的变化关系与一般半导体二极管不同。

隧道二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。

因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。开关二极管二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。

1、隧道二极管（Tunnel Diode）又称为江崎二极管，它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。

2、隧道二极管正向伏安特性中有一段负阻区，而且它还是一种多数载流子效应，没有渡越时间的限制，所以隧道二极管可用作低噪声的放大器、振荡器或高速开关器件，频率可达毫米波段。它作为器件的缺点是功率容量太小。

3、此后，江崎利用这一效应制成了隧道二极管（也称江崎二极管）。 1960年，美裔挪威籍科学家加埃沃（Ivan Giaever，1929～）通过实验证明了在超导体隧道结中存在单电子隧道效应。

4、稳压二极管，又名齐纳二极管，是利用pn结反向击穿状态，能在电流变化大变化范围内，而保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。原理：齐纳隧道效应，当反向电压达到并超过稳定电压时，反向电流突然增大，而二极管两端电压恒定。