三极管ecb（3极管ebc区分）

本文目录一览：

• 1、三极管C945属于开关管吗？它的三个极排列顺序？
• 2、充电器三极管13001(tto-92）ecb电阻多少
• 3、（1）简述三极管B、C、E三个极以及NPN、PNP管型的判定方法。
• 4、怎么在线路板上找3极管的b.c.e?
• 5、三极管中的管脚 定义 有 E C B 这代表什么意思？
• 6、哪种NPN低频三极管的管脚顺序是ECB？（1A-1.5A，50V左右）

三极管C945属于开关管吗？它的三个极排列顺序？

三极管c945全称2sc945.不是开关管.是一般用途三极管.管脚如搭向下.面对型号平面依次为ecb三个旅渗极.常用参数如下:si-npn硅管.50v.0.1a.250mhz.与2sa733互渣镇拿补.

充电器三极管13001(tto-92）ecb电阻多少

电阻没有固定的.想分清ECB极倒可以,指针表随便接一个极,电阻10档,2次用另一表笔都有摆动,值是3-5K固定这个笔接的是B极,表笔肯定是黑的.2次读数大的是E,小的是C;

把C和E随便换着测不会有摆动悄旦或可能有轻微指示.

数字表要拨到二极管档,表笔随便接一个极,2次用另一表笔都有结电压,固定这个笔接的是B极,表笔孙运敬肯定是红的.结电压值也因管子有差别,值是.580-.750,同一则慎个管结电压低的是C,高的是E.把C和E随便换着测不会有数值.实在看不出那点点差别的表就拨到HFE,把管子插到梅花插座上,放大数最大的那次就对了,看看插座上标哪就是哪极.

（1）简述三极管B、C、E三个极以及NPN、PNP管型的判定方法。

一、三极管的电流放大原理晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。图1、晶体三极管（NPN）的结构图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分清兄越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不升正吵作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。二、三极管的特性曲线1、输入特性图2（b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。3）三极管输入电阻，定义为:rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。2、输出特性输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。截止区当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：Icbo=(1+β)Icbo常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。图2、三极管的输入特性与输出特性截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。三、三极管的主要参数1、直流参数（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功吵侍率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。（3）发射极---基极反向电流Iebo集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。（4）直流电流放大系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib2、交流参数（1）交流电流放大系数β（或hfe）这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：β=△Ic/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。（2）共基极交流放大系数α（或hfb）这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：α=△Ic/△Ie因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用α与β之间的关系：α=β/（1+β）β=α/（1-α）≈1/（1-α）（3）截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαofβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。3、极限参数（1）集电极最大允许电流ICM当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。（2）集电极----基极击穿电压BVCBO当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。（5）集电极最大允许耗散功率PCM集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM

怎么在线路板上找3极管的b.c.e?

从经验来说一般向TO-92封装的三极管一般都是按EBC

ECB排列

如果是功率管或者是开关管则是BCE

当迹备键然如果你有万用表可以借用万用表的二极管滚碰档,根据PNP

NPN

管的PN结压降姿巧来判断其相应的脚位,最简单的一种就是根据你手上的配件管脚位置去假定电路板上的脚位,这样速度更快一些

三极管中的管脚 定义 有 E C B 这代表什么意思？

E发射极，C集电极，B基极

三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面。可有pnp和npn两种组合。三个接出来的旅态端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，销姿将中性的p型区和n型区隔开。

扩展资料

三极管的结构：

1、由三个区组成，分别是集电区、基区、发射区，其中集电区和发射区的半导体性质一致，它们同是n型半导体或p型半导体，但掺杂浓度上发射区浓度大，集电区浓度小，且集电区面积大，以利于收集载流子；基区的半导体性质与集电区和发射区正好相反，并且基区较薄、掺杂浓度较低；见图一；

2、发射结和集电结都是属于pn结，具备pn结的特性，因此其结构相当于亏镇绝一个极（阴极和阴极或者阳极和阳极）并联在一起的两个二极管，这个公共的电极就是基极，而另外两个极就是集电极和发射极；见图二，上面的对应的是npn型三极管，下面的对应的是pnp型三极管；

3、它有三个电极：基极b、发射极e、集电极c

哪种NPN低频三极管的管脚顺序是ECB？（1A-1.5A，50V左右）

2SC1815为NPN型硅三极管，管脚枝仿槐顺序是ECB

NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流 放大和开关作用。

半导体三极管也称为猛友晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母B表示——B取自英文Base，基本(的）、基础（的））大让，其他的两个电极分别称为集电极（用字母C表示——C取自英文Collector，收集）和发射极（用字母E表示—— E取自英文Emitter，发射）。

三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。

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