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ce的电压：vce=vcc-ice*rc=（12-77*2k）=47(v）。
三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
一般在估算的时候，我们认为它是0.3V，这和实际情况基本一致。在实际电路中，虽然三极管参数存在有一定的离散性，基本不会大于这个值，有时还会小一点。
要看三极管工作在什么状态，深饱和时Uce小于0.3V，正常放大时一般设置Uce为2到6V，再大就要进入截至状态。当然这是当电源电压为12V时的情况。
“假定”不准确，CB击穿电压不会低于CE击穿电压的。图中电路因为基极加有正偏，是导通的，不会击穿。如果基极没有正偏，肯定击穿，首先击穿CE。
对，不同的管子有不同的VCEO！饱和时一大约两到三个电压。截止就看电源了(在没有击穿时)。
1、三极管的CE极电压：Uce不是固定的，三极管是电流放大器件，Uce之间电压符合欧姆定律，和基极电压基本没关系，和输入电流有关系。晶体管是非线性元件。
2、求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
3、三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
4、三极管导通后的Vbe电压为0.7V，通过R3的电流为0.7/330=1mA。通过R3电流必定通过R2，忽略Ib，UR2为02V。根据KVL，UR1=URUR1+UR2+UR3+UR4=24V 24-0.7-02=2UR1，解得UR1=114V。
5、三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
6、将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。
那么，ce的电流：ice=hfe*ib=40*0.09417=77(ma），ce的电压：vce=vcc-ice*rc=（12-77*2k）=47(v）。
BE之间的电压还是0.7V，至于CE之间的电压要看是什么类型的管子，如果是9013这个型号的，大约是0.3V。
三极管处于放大状态下，各级的具体电压与集电极电流和电源电压有关，但其中B极电压比E高0.6-0.7V，CE之间的压差大于1V。
1、在上述条件下，8050在导通时的UCE约为0.1~0.3V，这个数值是制造时就确定了的，我们要求越小越好。截止时的UCE为109V，这个电压由两个电阻的分压决定。
2、对于硅三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.3v左右，对于锗三极管，集电极和发射极间的饱和导通电压为0.1v左右，但是如果不是处于饱和区而是出于放大区，就不确定了，只能确定集电极电流是基极电流的β倍。
3、因为T1集电极直接与T2基极连接，T1的C-E间没有正向通路，也没有正向Ic，那么T1的C-E间电压降为0，所以当电压到达T2时基极是6V。
4、硅三极管的 B（基极）、E（发射极）电 压降一般0.6伏到0.7伏之间。温度越高压降越低，反之相反。当然基极电流也有关，因为电流越大温度相应增高。C（集电极）、E（发射极）电压降是，由集电极发射极回路电阻决定电压。
Uce不是固定的，三极管是电流放大器件，Uce之间电压符合欧姆定律，和基极电压基本没关系，和输入电流有关系。这个是初学者容易混淆的东西，以为输入电压恒定，输出电压就恒定。不是说了吗，晶体管是非线性元件。
NPN三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定，在共发射极放大器中：Uec=Ec-βibRc-(β+1)ibRe，ib为动态基极电流，静态时ib为一常数，由静态工作点设定。
三极管在放大状态时CE间电压Uce由基极电流决定，在共发射极放大器中：Uec=Ec-βibRc-(β+1)ibRe，ib为动态基极电流，静态时ib为一常数，由静态工作点设定。NPN管和PNP管算法一样，只是Ec和ib用负值代入。
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