silvaco仿真光电器件（光电器件仿真软件）

发布时间：2023-06-19

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通过solve语句定义器件的电流电压特性，仿真CV特性建议使用QSCV语句。

控制台终端（Console）：计算机显示器通常被称为控制台终端（Console），它仿真了类型为Linux的一种终端（TERM=Linux），并且有一些设备特殊文件与之相关联：tty0、ttytty2等。

网格不够细，参数不符合真实物理条件，模型建立中有错误（公式部分），跟你的模型的几何结构也有关系。即便这些都没有问题，你所采用的求解器也会有很大的影响。举个例子，我求解过一个稳态问题，是多场耦合的。

silvaco仿真光电器件（光电器件仿真软件）

通过solve语句定义器件的电流电压特性，仿真CV特性建议使用QSCV语句。

例子里确实没有光刻工艺，因为不在意光刻胶的影响的话没必要做这一步仿真，直接刻蚀就可以了。如果要仿光刻胶的影响，刻蚀的时候可以定义光刻胶类型。

这个应该是可以模拟快速热退火的，而且这个应该效果也是非常好的。

一般是直流的仿真，然后把仿真结果保存到结构文件中（.str），最后通过tonyplot显示。tonyplot显示后，点display-contours-electric field就可以显示电场了。然后在你关心的区域cutline，就可以定量显示电场分布了。

用silvaco设计一个在p衬底上的pmos器件的程序都是全的，原创作品。

貌似..是源漏外接时，高掺杂才能形成欧姆接触，所以用+。

因为P衬底的少子是电子，而N衬底的少子是空穴。电子的迁移率要大于空穴的迁移率，而MOS器件是少子导电，所以采用在P衬底上可以集成速度更快的NMOSFET。而PMOS必须要做到N阱里面。

将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，NMOS制作在P型硅衬底，PMOS制作在N阱里面。CMOS工艺也细分很多种，不同代工厂的CMOS工艺不完全一样。

1、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。

2、其计算公式为：i=kcu(μa)；其中k值为漏电流常数，单位为μa(vμf)。滤波器漏电流电源滤波器漏电流定义为：在额定交流电压下滤波器外壳到交流进线任应─端电流。

3、这是有测试条件的，一般是指给定的VDS电压下，漏电流Id不能超过250uA，否则就可以说明器件不合格或是损坏了。

4、因为 Bipolar三极管的集电极电流是基极电流的β倍，其值通常为 100-800。而MOS 管的栅极电流非常小，趋于零(对于 2N7002，直流情况下，栅极漏电流在 10nA级)，这样一来，在通常的集电极MOS 管的电流增益远远大于 Bipolar。

5、漏电流包括对地漏电流外壳漏电流患者漏电流患者辅助漏电流患者漏电流：从应用部分经患者流入地的电流，或是由于在患者身上出现一个来自外部电源的非预期电压而从患者经F型应用部分流入地的电流。

6、MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。