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光电器件需要具备(光电器件一般有哪些类型)

发布时间:2023-06-19
阅读量:42

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光器件的基本内容

主要内容有:半导体光电探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD和CMOS成像器件、致冷和非致冷红外成像器件、紫外成像器件、X射线成像器件。

光纤通讯器件 其中包括光有源器件(例如激光器,光收发模块等),光无源器件(例如光纤耦合器,光纤光开关,光分波器等)。光电照明器件 例如 LED灯具,或者说其它发光照明灯具,或发光装饰灯具。

光谱特性主要反映光电器件可以响应那个波长范围的光,范围之外无光电转换效率或效率很低;频率特性则是反映光电器件对信号的响应速度,频率特性低的器件无法正常响应高频调制信号。

CWDM(粗波分复用)技术应运而生,并很快成为一种实用性的设备。目前应用的光设备主要有:①光器件有光耦合器,光复用器,光滤波器,光纤连接器和衰减器,光检测器,光放大器,光调制器与开关;②光发射机;③光接收机。

以确你足够高的注人效率。第二类结构主要是针对超高亮InGaAIP红黄光与InGaN蓝绿光器件而言。这类器件的基本结构通常包括四个区域:即衬底区、布拉格反射区、DH或MQW发光区和窗口区。

光器件主要由TOSA(以激光器为主的发射组件)、ROSA(以探测器为主的接收组件)、尾纤等组成,其中TOSA占到了光器件总成本的48%;ROSA占到了光器件总成本的32%。

光电器件的简介

光电子器件是光电子技术的关键和核心部件,是现代光电技术与微电子技术的前沿研究领域,是信息技术的重要组成部分。

问题四:光电子器件的介绍 利用电-光子转换效应制成的各种功能器件。光电子器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变,它也有别于早期人们袭用的光电器件。

利用半导体光-电子(或电-光子)转换效应制成的各种功能器件。它不同于半导体光器件(如光波导开关、光调制器、光偏转器等)。光器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变,它也有别于早期人们袭用的光电器件。

光电二极管、光电三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光电二极管和普通二极管一样具有一个PN结,不同之处是在光电二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换,在电路图中文字符号一般为VD。

光电器件所需知识

1、主要内容有:半导体光电探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD和CMOS成像器件、致冷和非致冷红外成像器件、紫外成像器件、X射线成像器件。

2、光电器件主要有:利用半导体光敏特性工作的光电导器件,利用半导体光生伏特效应工作的光电池和半导体发光器件等。

3、光电三极管因输入信号为光信号,所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光电二极管一样,光电三极管外壳也有一个透明窗口,以接收光线照射。

4、光纤通讯器件 其中包括光有源器件(例如激光器,光收发模块等),光无源器件(例如光纤耦合器,光纤光开关,光分波器等)。光电照明器件 例如 LED灯具,或者说其它发光照明灯具,或发光装饰灯具。

光电器件的光电器件的组成

1、光电导器件主要有光敏电阻、光电二极管光电三极管等。

2、主要内容有:半导体光电 探测器、光电倍增管、微光像增强器、真空摄像管、CCD 和CMOS 成像器件、致冷和非致冷红外 成像器件、紫外成像器件、X 射线成像器件。

3、光纤通讯器件 其中包括光有源器件(例如激光器,光收发模块等),光无源器件(例如光纤耦合器,光纤光开关,光分波器等)。光电照明器件 例如 LED灯具,或者说其它发光照明灯具,或发光装饰灯具。

用晶体制作光电器件时必须考虑哪些因素

影响有机晶体发光的因素:发光材料的发光性能除与材料基质晶体结构类型和发光中心激发剂离子种类和数量密切相关,同时还受到材料合成加工等工艺技术和过程的影响。发光粉的颗粒大小是对发光性能具有关键性影响的另一因素。

晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小。禁带宽度越大,晶体管正常工作的高温限也越高。光电器件对材料特性的要求:利用半导体的光电导(光照后增加的电导)性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁带宽度有关。

⑹物化性能稳定;⑺生长工艺比较容易,能得到足够大的晶体,在位相匹配方向上达到可用长度。

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