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mos管寄生电容（mos管寄生电容的作用）

发布时间：2023-06-19
阅读量：41

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mos管寄生电容一般多大

1、这问题问的？MOS管是一个系列，功率从小到大很多品种，寄生电容各不相同。好比你问：一条船有多长？小舢板也许只有3米长，大油轮也许300米都不止。

2、MOS管是电压控制的元件，它的栅极输入阻抗极大，几乎就没有电流经由栅极流向源极，也就是说Igs≈0。考虑栅极电流的情况，比较常见的只有一个，就是开关信号频率很高时，栅极的寄生电容高速充放电会产生较大的电流。

3、mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。

mos管栅极电压足够,是不是需要比较大的电流给寄生电容充电?如果这个...

1、MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

2、对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

3、相反在整流电路中为防止充电电流过大，往往在二极秋上并联小电容，以保护二极管。你的电容当然可以用充电器充电。

4、一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。

5、MOS管是电压控制的元件，它的栅极输入阻抗极大，几乎就没有电流经由栅极流向源极，也就是说Igs≈0。考虑栅极电流的情况，比较常见的只有一个，就是开关信号频率很高时，栅极的寄生电容高速充放电会产生较大的电流。

6、MOS是场控器件，意味着只要栅极电压达到阈值，其DS之间的沟道即会打开。但由于其栅源之间有等效电容，故无论是开通或关断或放大的时候，其响应均会受电容影响，有所延迟。因为电容电压不会突变，这就是存储效应。

电力mos管为什么有损耗

1、我们知道MOS管是压控器件，不同于三极管是流控器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流（电荷）的，原因是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，如图4所示。

2、MOS导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

3、mos管一定要选好参数，mos管本身的压降损耗，还有它的一个导通损耗和断开损耗，如果开关频率提高，它的损耗就会加大。变压器一定要绕好，尽量多股绕，降低损耗。

4、若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。

5、不管是什么电源，MOS管烧坏只有3个原因：过压，过流，过热。R&D设计产品时都会考虑MOSFET的工作环镜，可以从轻载到满载去调试过流点，从低压到高压去调试过压点，长期老么去调试过温。

6、主要指输入方面，三极管输入的信号是电流，不可避免地要消耗信号功率，而MOS管的输入信号为电压，电流非常小，因而输入功率的消耗就相当小。

为什么我的MOS管在栅极断电后,我的漏极还是导通

1、AS短接，LED灭是正常的。当A（就是G极）悬空时，由于场效应管栅极极高的输入阻抗，会引入静电以及电场干扰从而导致DS导通。一般在应用时，GS之间要加一个电阻，防止栅极悬空引起错误动作。

2、夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏极。形成电流。

3、你说的N 型mos管的导通，主要是看栅极，栅极上的电压相对于GND是正电压，达到一定值，那么mos管导通。你可以理解为：栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。 一句两句也说不清楚，你可以这么去理解。

4、这个是PMOS管，PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

5、由于栅极和衬底之间有一层薄薄的二氧化硅绝缘层，所以栅极和衬底之间相当于存在一个电容。

怎么测MOS管的寄生电容

1、如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

2、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。

3、连接时应始终使用栅源电阻。这将有助于避免栅极处的噪声，也有助于释放器件的寄生电容。在mos管的栅极处应始终使用低量程电阻。最后，通过测试电路技术进行测试时，一定要使用低端开关电路。否则，mos管将无法工作。

4、原因包括以下几点。测量设备不够敏感或测量过程中干扰较大，无法准确测量出来。MOS管损坏，门电容受到损害。MOS管的制造工艺和结构对门电容的性能有较大影响，致使不同型号MOS管门电容相差较大。

5、电容的寄生电感和寄生电阻主要是指它的引线和极板形成的电感和电阻，尤其是容量较大的电容更为明显。

6、消除mos管寄生电容方法有三种。增加初始电容值法。采用增加初始电容值的方法可以使寄生电容相对电容传感器的电容量减小。采用驱动电缆技术，减小寄生电容。减少引线距离和集中接地，可以减少寄生电容。

关于MOS管中栅极电流的问题

1、在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。

2、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

3、其中μn是电子迁移率，Cox是MOS 管栅极电容率，W是栅宽，L是栅长。那么求跨导就是的上式两端 VGS求导数，于是有跨导为显然，在MOS管固定的情况下，只要 VGS足够大，我们所获得的跨导就能足够大，但问题是 VGS增大，偏置电流 ID也增大了。

4、MOS管是电压控制型器件，只需在栅源极之间施加合适电压，沟道即可开启。在沟道开启时，需要一个瞬时大电流将给栅极电容充电，让沟道尽快开通，这个电流往往是A级的。

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