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性能不同：场效应管只有多子参与导电；可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。
场效应关你开关都是通过G级来开关的，比如G级维持高电平则导通，低电平则截止。
不具备电压、电流的线性放大能力(单向可控硅还是个整流器件)。三极管---电流控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。场效应管---电压控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。
1、闸管、快速晶闸管，等等。 可控硅整流器件是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。
2、场效管的主要作用是放大信号；可控硅的主要作用是当开关。
3、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
4、三极管是全控的，可以用小电流控制输出的电流大小。可控硅只能控制通断，可控硅接通后不能自动截断，必须有个负电压才能截断。
5、微件不同：场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
6、场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
1、场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。场效应管具有如下特点。
2、金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。
3、场效应管描述的是管子制作工艺的类型，对应的是双极型晶体管，也就是常说的三极管，开关管描述的是管子的工作方式，工作于开关方式，多用于电源，相对应的是放大管，如功放电路。
4、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。
5、场效应管可以用作电子开关。场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）的简称。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
6、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
1、性能不同：场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
2、可控硅---压控开关器件， 不具备电压、电流的线性放大能力(单向可控硅还是个整流器件)。三极管---电流控制型线性放大器件(利用截止、饱和特性也可作单向开关)。
3、场效应管与可控硅区别 三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
4、三极管与可控硅是两码事；三极管具有放大作用，就是基极输入的电信号，可以有倍率的放大；而可控硅是没有这个作用的，在控制极上给信号，可控硅就导通，可以把它看做一个可控制导通和断开的二极管。
微件不同：场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
三极管：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
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