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从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。
可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。
在场效应管的放大电路中，为实现电路对信号的放大作用，必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压，使场效应管工作在特性的恒流区。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
MOS开关管的选择，与开关电源的输出功率有关，与输入电压的波动范围有关，与电路中管子工作的激励方式和激励量有关。
选在MOSFET一般有两个标准，一个温度，一个耐压。具体选择还要根据实际的电路情况。比如跟问题温度有关系的参数就包括，通过MOSFET的电流、散热情况、使用环境。电流的计算可以用输入功率除以输入最小电压除以占空比就可以。
当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
1、可以肯定不会烧，频率最低的可能就是开关状态下的MOS管了，例如充电保护，只有开与关可以几天几年开关一次。
2、没问题，现在的VMOSFET几乎都具有良好的高频性能，只要驱动电路设计没问题，用它处理一二百千赫的信号不成问题。
3、Hz~20kHz(±1dB)以上。大功率场效应管的工作频率是20Hz~20kHz(±1dB)以上，开关频率越高，充放电电流越大，所需驱动功率也越大。
4、所以这个管子的最高频率是：14174兆赫。低于这个都是最佳频率。
5、NE555构成方波振汤器，输出频率约为32kHz，R2或C3值可改变输出频率。输出经功率三极管，升压变压器点亮9w光管。
6、在其它参数满足条件时，其允许的最高工作频率越高越好，而功率管的发热情况只与在其工作时的平均功耗与散热条件有关。当对输出波形无特别要求时最好采用开关工作方式，而且要求在导通时功率管上的压降越低越好。
1、电阻异常。mos管实际使用电流很小是电阻异常造成的。电阻（Resistance，通常用“R”表示），是一个物理量，在物理学中表示导体对电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大，表示导体对电流的阻碍作用越大。
2、开关频率越高，开关管的开关速度就越快，因此开关损失也会更小。此外，高开关频率还可以减小开关器件的尺寸和重量，从而提高电源的功率密度和效率。
3、输出电压和线圈的谐振频率有关，开关电源工作频率高出线圈谐振频率范围导致输出电压下降，同时损耗加大，反映出来的就是待机电流增加。
4、这变频器的原理是正常运转后电压越高电机越快，可以通过手动微调来调节电阻使振频加快电机速度就越快。这里有一个物理原理，频率越大电压越高，频率越低电压越低，但它们的电流是相反的。
5、MOS管的输入电流等于输入电压除以输入电阻，所以输入阻抗越大，输入电流就越小，这是电学上最基本的物理定律之一——欧姆定律。
6、那么驱动功率W=E*K，电流在电阻上的回路几乎可以忽略，这就为什么说MOS管静态损耗小的原因，可是作为开关管的话，电流大小就跟频率成正比，栅极的寄生电容是并联在G S极的，这个就是回路。
关键词：增强型mos管 电阻 n沟道耗尽型mos管 mos管 可变电阻
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