mos管g极电流（mos管g极电流和电阻有关系吗）

发布时间：2023-06-20

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Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。

Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量，这个参数直接反应mos管的开关速度，越小的话MOS管的开关速度就越快.Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。3000qg即3000欧姆。

不同的MOS的Qg是不一样的：MOS的G，S，D，在中间的条件下，得到右边的结果。

首先，需要知道用什么来表达栅极电荷泻放的速度，首先Qg（gate charge）是一个参考，另外Trr是不是也要考虑进去。如果应用其开关特性，那么现在在设计上考虑一般都是减小Rdson和Qg。

mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

mos管g极电流（mos管g极电流和电阻有关系吗）

对于P-MOS管，VgsVgs(th) (即G极和S极的压差小于门限电压时，此MOS就导通)，此时电流往哪流，就看D和S 的电压的高低了。所以说怎么刘都有可能。

P沟道的，本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。

从一个简单的回路说，电子是从电源负极流出，通过负载后回到电源正极的，所以上述电路都是基于这个方向讲的。如果是按电学的电流方向，从正极出发的理论，要把上边说的倒过来，即N沟道是从D流向S，P沟道是从S流向D。

P-MOS它共有4个极分别为：G、D、S、还有个衬底，现在的衬底跟S都是在内部接一起的，如果你是单电源的话，直接在D加正电压，S接地，很可能会烧坏P-MOS，电流会很大！G也就没啥作用了，根本就不能工作。

可以流动，不会烧管。是否烧管决定于电流产生的功率。如果是VMOS管直接存在反向导通的寄生二极管，反向电流可以畅通无阻。

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4、BSP75N VIgs(th）=8V 再小的话非常容易误动作。你那个图，M不是mos，2V/600mA应该是描述额定工作状态，跟MOS管的VGS没关系的，再说，你图上Q4是个三极管。

1、mos驱动需要的电压，而建立电压需要电流，建立电压的电流大小和开启电压、结电容、开关频率及分布电阻、电容有关。实际工作中如果频率高，分布参数大，则计算驱动电流误差较大，还是应该结合实际实验数据分析计算。

2、一般情况下，MOS管发热，无非就是两种情况：第一，MOS管的内阻太大；第二，MOS管未完全开启，内阻也是很大的。

3、Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；第三种：以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。