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1、测量可控硅好坏的方法如下:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
2、认真测量量引脚间的正反向电阻,读书较小的一次,黑笔接A1极,红笔接G极。
3、可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
4、单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
5、说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。
有源晶振,即石英晶体振荡器。只需要将Vcc与地引脚接通电源,然后在输出端连接频率计和示波器,就可以测量了。无源晶振,即石英晶体谐振器。测量方法有三。
石英晶振:即所谓石英晶体谐振器(无源晶振)和石英晶体振荡器(有源晶振)的统称。一般的概念中把晶振就等同于谐振器理解了,振荡器就是通常所指钟振。
你说的是直插式的封装还是贴片式的封装呢。直插式的有分圆柱表晶系列,49S直插式,陶瓷系列。
首先说一下石英晶振谐振器。谐振器一般分为插件(Dip)和贴片(SMD)插件中又分为HC-49U、HC-49S、HC-49SS、音叉型(柱状晶振)。
封装到金属壳内,就成了石英晶体振荡器 ,一般有四个端子(电源端、地、输出、还有一个压控或者悬空端子)。石英晶体谐振器简称晶体,石英晶体振荡器简称晶振。
晶体谐振器是无源器件,不需要电源。晶体振荡器是有源器件,需要电源,且晶体振荡器的电路中最重要的元件就是晶体谐振器。将晶体谐振器加外部振荡电路、放大电路、滤波电路等等即为晶体振荡器。
短路一下可控硅(+)到可控硅触发极,灯泡会保持点亮状态,这个可控硅是好的。灯泡保持点亮状态下:测可控硅两端的电压值,是可控硅节压降,越低越好;断一下电源线,再接上,灯泡就不亮了,除非再按前面的方法触发一下。
用一个5V的小灯泡?(电流在100mA以上),和两节5V电池串联再与被测可控硅的阳极和阴极串联,注意,阳极为正,阴极为负,把可控硅的触发极碰檫一下,可控硅就会导通,灯泡亮,说明这个Kp可控硅工作正常的。
短路一下可控硅(+)到可控硅触发极,灯泡会保持点亮状态,这个可控硅是好的。当灯泡保持打开时:测量晶闸管两端的电压值,即晶闸管的电压降。电压越低越好;断开电源线,然后再连接,灯泡不会亮,除非按照前面的方法再次触发。
量K,G 这间电阻,应该是30欧左右。太大或太小都不行。
可根据判断可控硅控制极(G)与阴极(K或A2)性能的来判断。根据被检测晶闸管的功率大小,将万用表置于合适的电阻档,小功率的选择×10;大功率选择×100。短接两表笔较表,较对万用表指针在“0”的位置。
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
用万用表判断时先将万用表的两只表笔接可控硅的两个端面,电阻应呈无穷大(表针基本不动),再将表笔反过来亦如此。若这两步测量时电阻很小,则说明该可控已损坏。
单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
找出读书为数十欧姆的一对引脚,其中黑表笔为G极,红表笔为K极,空引脚为A极。检测双向可控硅同单向可控硅,找出数十欧姆的两个引脚,其为A1或者G极,空引脚为A2极。
采用此法可确定可控硅的触发是否可靠。但 这样的测试由于电流较大,应尽量缩短测试时间。必要时也可在可控硅的阳极上串一只几百欧的保护电阻。
1、单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。
2、单向可控硅的检测:万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。
3、检测双向可控硅同单向可控硅,找出数十欧姆的两个引脚,其为A1或者G极,空引脚为A2极。认真测量量引脚间的正反向电阻,读书较小的一次,黑笔接A1极,红笔接G极。
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