mos管的sgd（MOS管的开关特性）

发布时间：2023-06-20

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1、将三极管平滑光整的正方形一面正对自己，三个管脚往下，用手拿着。从左往右三个管脚分别是E，B，C。E代表发射极，B代表基极，C代表集电极。

2、是场效应管。其分为N沟道和P沟道。G是栅极，D是漏极，S是源极。工作原理也很复杂。

3、三极管的三个角是：B基极，C代表集电极，E代表发射极。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

场效应管的三个电极相当于三级管的三个电极，G是控制极，相当于三级管的B极，电压控制DS的导通率（三极管是电流控制型，B极控制CE的导通能力）D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。

G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。

这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

GSD分别是栅极，源极，漏极。栅极控制开关，源极载流子流入，漏极载流子流出。nmos管载流子是电子，所以一般源极接低电压，漏极接高电压。pmos管载流子是空穴，所以一般源极接高电压，漏极接低电压。

mos管的sgd（MOS管的开关特性）

G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

G D S分别是栅极漏极源极，通过GS之间的电压，控制DS之间是否导通，建议百度文库 mos，有详细的文档。

1、P沟道的，本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的。

2、对于普通水平导电的MOSFET，D极与S极是可以互换的，没有“必须”一说。对于V-MOSFET，因为存在反向的底村寄生二极管，D、S不再对称，反向电流可以不受栅极电压控制，通过二极管继续流通。

3、你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

4、这里需要注意的是S极是接在GND上的，而不能与D极对调。PNP开关电路：NPN开关电路：3V控制5V开关电路总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。

5、P型场效应管应从S极输入、D极输出，你把输入和输出弄反了。那个R23，应接在S、G之间，而不是接在G、D之间。R23是泄放电阻，当控制信后从0到1时，迅速将加在G极的负压释放，保证有效关断。