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1、简单解释一下吧,MOS管有三个脚,两个MOS管串联,一个开一个关是截止的,一个关一个通是截止的,连个关是截止的,只有两个同时开或者同事关才是导通的。
2、上管的浮动驱动高压必须低于下管的VDS耐压值,否则下管电应力会超标。虽然原理上讲可以使用更多的mosfet串接起来达到更高的工作电压,但实际产品通常只有两只串联的。
3、你看到的一定不是两个二极管,一种可能是一个稳压管串连一个二极管,其中二极管是温度补偿用的如2DW7,也有的是用来阻止反向电流的,还有一种可能是两个稳压管,起到双向限幅作用,不过,通常都是并联。
4、P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,栅极上加有足够的负电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
从一个简单的回路说,电子是从电源负极流出,通过负载后回到电源正极的,所以上述电路都是基于这个方向讲的。如果是按电学的电流方向,从正极出发的理论,要把上边说的倒过来,即N沟道是从D流向S,P沟道是从S流向D。
MOS管导通后,反向时主要是流过沟道,因为体二极管本身有比较大的二极管压降,约为0.7V,沟道相当于把体二极管给短路了。
对于P-MOS管,VgsVgs(th) (即G极和S极的压差小于门限电压时,此MOS就导通),此时电流往哪流,就看D和S 的电压的高低了。所以说怎么刘都有可能。
1、简单解释一下吧,MOS管有三个脚,两个MOS管串联,一个开一个关是截止的,一个关一个通是截止的,连个关是截止的,只有两个同时开或者同事关才是导通的。
2、充电回路采用双MOS串联式控制回路,使回路电压损失较使用二极管的电路降低近一半,充电采用PWM模糊控制,使充电效率大幅提高,用电时间大大增加。
3、:这种是常见的正电源开关mos接法,一般电源都是负端开关,但是这是正端,所以需要2个场效应管。2:QP1 栅极需要和漏极电压(vcc)一致时才会关闭,那么R5的存在是必须的,它可以关断QP1。
内部集成两个MOS的电流是指是这两个mos的总和,两个MOS电流是相加。
锂电池保护芯片DW01需要控制两个串联的N型MOSFET才能实现对电池的保护, 数据手册上的过电流检测电压是指CS对GND之间的电压(Voip)。
较为简单的方法是两管并联:分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联,最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻,如图所示。其中RR4由漏极电流决定,使其上的压降1V左右即可。
mos管用作了可双向导通的开关,工作在开关状态。
串联时,下面的管子工作在线性区,上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。根据电流相等的条件列出两个电流表达式,然后根据化简结果可以得到等效宽长比为W/2L。
所以就用mos管代替二极管。但是mos管有一个问题,就是内部集成了一个续流二极管,你分析一下电路就知道了,如果只用一个pmos的话,5v的电压会经过mos管直接流进锂电池中。
MOS管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
可以,发光二极管的工作电压红色7-5V;黄色9-4V;绿色0-4V;蓝色及白色0-8V 发光二极管的工作电流20MA。
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