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(1)穿通击穿的击穿点软，击穿过程中，电流有逐步增大的特征，这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。另一方面，耗尽层展宽大容易发生DIBL效应，使源衬底结正偏出现电流逐步增大的特征。
原因很多。比如说：你超频了，在超频过程中你增加了CPU电压。 还有，你电脑电源质量不合格，一级二级虑波被省略，当你家里的电不稳定就会出面这程情况 你主板做工也有关系，如果主板供电不稳定的话也会出面MOS管被击穿。
MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。
G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。
D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
G D S分别是栅极 漏极 源极，通过GS之间的电压，控制DS之间是否导通，建议百度文库 mos，有详细的文档。
1、在这个时候，黑表笔接S极，红表笔接D极，会发现，有数值显示了。这说明，此场效应管是完好的。如果所测的结果与上述两种方法均不符，则这个场效应管就是坏的。一般情况下，D极和S极击穿的比较常见。
2、具有阻抗高，输出电流大，输出内阻低，副温度效应等优点。场效应管有三个电极，g（控制极）d（漏极）s（源极）。p20nm60是n道沟，20a，600v场效应管，正面放置，引脚朝下，从左到右，依次为gds，三个电极。
3、场效应管带字的一面朝着自己，从左到右依次为：G（栅极），D（漏极），S（源极）。将黑表笔接在D极，红表笔接在S极上，此时，万用表指针应不动；然后再对换表笔，再测，此时，万用表指针应向右摆动。
我有更好的答案邀请更新 2013-06-10 最佳答案 你自己看一下datasheet，在封装那部分，由引脚定义。字朝自己，脚向下。从左到右，GDS，另外，背面还有金属的也是引脚，这个与D连一起。你可以用万用表通断档测一下，也是连一起的。
都可以。但是如果封装对应了某种引脚次序的原理图，那么就不能随便了。假设封装1---D，2---S，3---G，那么原理图库也只能选择这种次序的器件库。
在国家标准电路中，常用场效应管的符号如图6-11所示。目前，在有些人功率MOSFET管中的G-S极间或者D-S极间增加了保护二极管，以保护管了不至于被静电击穿。这种管子的电路图符号如图6-12所示。
栅极驱动异常会造成三端的沟道全部击穿导通，驱动异常包括驱动电压过高过低或者驱动的波形变得不规律等等。
K787 N-MOS GDS 900V8A150W95/240nS6 K2645 N-MOS GDS 600V 9A 50W K3451 N-MOS GDS 600V 13A 80W 10N60 N-MOS GDS 600V10A BUZ91A N-FET 600V 8A 150W 0.9 Ohm 等等许多型号。
1、电视机行管、电源管，21寸的多使用4A~6A作右，25寸多使用5A~8A作右，29寸多使用8A~10A，34寸多使用8A~12A作右。向下兼容一般都可。对于耐压，电源管在800V以上，行管一般在1500V及以上。
2、D1555在14--21寸的彩电都可以用。25寸29寸的可以用D253。。34寸的可以用J69。。
3、BU4508AX4515008开关 行管 BU2527AX45150012 BU2527AF50150015开关 功放 C5144200W1700V20A J682060W1500V20A常用彩电行管电源管 常用高清行管的技术参数，以供参考。
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