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只要驱动波形给正确的方波即可工作在开关状态。
可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。
mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。
你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
1、电阻很难做进芯片内，体积也大，恒流源的作用和电阻一样，但可以用半导体做，能做到芯片内。
2、因为灯丝和金属网距离更近，同样的电压产生的电场强度更高；因此两者之间很小的电压变化都能很大幅度的影响阳极电流。这就是电子三极管的放大原理。
3、简单的晶体管放大电路，集电极输出就是反相电压放大器，发射极输出就是电压跟随器。因为普通晶体管是电流控制型元件，所以它的控制端(基极）输入是以电流的形式表现的，但本质还是电压引起电流变化。
4、由问题可知你对MOS管还是有一定的了解。一般的回路图里，MOS管的源极接一个电阻，然后接地。此电阻一般很小，为毫欧级，主要用于电流采样，把电流讯号转化为电压讯号，用于监控回路电流。如还有疑问可把回路图贴出来。
5、导通阻抗是指MOS管处于导通状态时源极和漏极之间的电阻，这个数值越小导通效果越好；开启电压是指增强型场效应管加在栅极和源极之间的控制电压达到使之开始导通的电压值。
6、指代不同 源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。
是不能使用的。恒流源电路mos冒烟了是对此电路造成损坏的，所以其是不能使用的，mos恒流电路，由信号源和电压控制电流源（VCCS）两部分组成。
是100M，见下图画红圈项，这个阻值足以让MOS管导通的。这是仿真软件的问题，当然了，这个阻值是可以改的。但是改大了，当按下按钮MOS管导通了，松开按钮MOS管却不会断开。所以，最好的办法是加一个电阻。
FPGA代码问题：如果硬件没有问题，那么可能是FPGA的代码出现问题。尽管仿真阶段没有发现问题，但是真实硬件环境中的时序问题可能导致信号丢失。建议检查FPGA代码中的时序，包括时钟域间的信号传输、数据路径的延迟等。
发烫证明已经有电流流经127了。绝对是万能表有问题。直接电流表测量时，127承受电压约10v，消耗功率约5w，不烫就不正常了。
有一定的相似性，但不一样。简单的说：MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。复杂的说：两者都有点类似受控电流源，MOS管是栅源电压控制的电流源，三极管是基极电流控制的电流源。
作用不同 MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。场效应管能在小电流和低电压的条件下工作，广泛应用于大规模集成电路中。
三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
1、这样电源就无法满足越来越高的直流电压要求，所以在三极管放大电路交流通道中，就要用电容把直流电压置零。
2、自感电动势当然会抵消部分电源电动势，但这个抵消是与“电源对着干”的抵消。
3、大体上讲，内阻总归低一点好，但也要考虑全面一点，比如内阻低了管子的抗冲击性能下降，是否还能满足应用要求，且回路内阻低了电流的上升率总归会更大一点，如果这方面管子能满足要求，那内阻就越低越好。
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