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mos管的vth（mos管的vth温度系数）

发布时间：2023-06-21
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增强型MOS管的在夹断点电压存在VP=VG-VTH的关系。对么

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

所以，你看Vgd是啥？门极漏极之间的电压，也就是电势差。如果都用源极作为参考点的话，那么可以写成电势差Vgs-Vds 的形式。即临界时，Vgd=Vgs-Vds=Vth，即Vds=Vgs-Vth 这就是推导过程。

根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。

在场效应管之中，Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压，就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以，Vgs的电压能够控制S-D电导，电压越高，电导越大。

因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、N沟道耗尽型MOS管是MOS管不需要工作电压就有了导电沟道，而P型增强型MOS管则是需要一定的电压才能反型。

3、可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0。n沟道耗尽型mos管的可变电阻区和恒流区条件与增强型mos管一样：vgsvtn，id=0，此时为截止区。vdsvgs-vtn和vgs≥vtn，此时为可变电阻区。

4、在场效应管的放大电路中，为实现电路对信号的放大作用，必须要建立偏置电路以提供合适的偏置电压，使场效应管工作在特性的恒流区。

Vth的值怎么求

铝栅P沟道MOSFET具有以下参数：TOX=120nm，nD=1×1015cm-3，QOX/q=1011cm-2，L=10μm，Z=50μm，μp=230cm2V-1s-1。

解：将负载（load）从电路中断开。右端的24Ω电阻串联j12Ω电感中无电流、无电压，因此VTHUoc（斜体字母表示相量）=Uab=Unb。

如下：在数值上，它是一个没有正、负号，也不能为零的绝对值。

MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义...

1、比如说，Ugs=10V，Uds=1V，肯定是在可变电阻区了，也就是饱和状态。你的这个图里，Ugs(th)没有说明，这个数据一般要在MOS管前面的数据列表中找。

2、Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。

3、而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。

4、|VGS||VTP (PMOS)|，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。PMOS集成电路采用-24V电压供电。

5、VdVg-Vth时，NMOS工作在线性区，也就是不饱和导通区，并不是真正的导通。和你的理解正好相反。高压NMOS的开启在2V左右，所以30V的GS电压已经够了，甚至偏高。

6、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

请问大神,Hspice里mos管的饱和电压vdsat为什么不等于过驱动电压vod=vgs...

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。

双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。

MOS管封装出现Vth击穿是什么原因

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。

原因很多。比如说：你超频了，在超频过程中你增加了CPU电压。 还有，你电脑电源质量不合格，一级二级虑波被省略，当你家里的电不稳定就会出面这程情况 你主板做工也有关系，如果主板供电不稳定的话也会出面MOS管被击穿。

MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

负载过重或有短路。散热不好热击穿。电压不稳定造成。

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