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PWM驱动MOS管H桥电路：H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。
可以利用单片机产生PWM方波)+4功率器件构成的H桥电路，用以驱动直流电机转动.当然还许多驱动方案，比如三极管-电阻作栅极驱动\低压驱动电路的简易栅极驱动，还有可以直接用个MCU产生PWM外加一个MOS管驱动也可以。
控制电压与供电电压没有必然关系，控制电压是控制电路采用的电压，一般是直流24v或者交流110v，控制电路一般也与主电路通过继电器隔离。
H桥电机调速电路可以通过调整PWM（脉宽调制）信号来改变电机输入电压或电流的占空比，从而调节电机转速。H桥电机调速电路通常采用闭环控制，可以通过传感器检测电机转速来间接控制电机转速。
1、控制2个电机A 和B的电路，每个电机1组H桥需要4个mos 管，所以有8个。
2、对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机即可，当电机需要双向转动时，可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀双掷的继电器。
3、H桥高边驱动MOS管（上面两个）应该要用P-MOS；分左右两边半桥，单边半桥共用同一个控制信号，则同一时间只会有一个（上或下）MOS管导通。
4、可以中功率对管，B772/D772，价格也不贵。
5、没用过该款和类似的h桥驱动芯片，因为个人觉得没必要。实际制作产品都是拿MOS管和三极管搭建，设计好死区时间，防止上下臂同时导通即可。建议使用分立元件去搭建，真没想的那么难。
6、即单片机信号能够到驱动芯片，反过来不行。MOS管h桥电机驱动电路图 典型mos管H桥直流电机控制电路 电路得名于“H桥驱动电路”是由于它的外形酷似字母H。
1、图中，上桥臂Q1和Q3采用PNP型三极管，Q2和Q4采用NPN三极管，因为Q1和Q3是高端驱动，采用了PNP管子就避免带来驱动电路设计的麻烦。
2、控制2个电机A 和B的电路，每个电机1组H桥需要4个mos 管，所以有8个。
3、电流脉冲 信号时，电流产生的磁场会使得导线间存在力的作用。有可能是 方波 太陡造成的，在 场效应管 的GS上并个电容试试。
4、H桥高边驱动MOS管（上面两个）应该要用P-MOS；分左右两边半桥，单边半桥共用同一个控制信号，则同一时间只会有一个（上或下）MOS管导通。
5、MOS管h桥电机驱动电路图 典型mos管H桥直流电机控制电路 电路得名于“H桥驱动电路”是由于它的外形酷似字母H。
6、直流电机是用H桥实现了，就是4个MOS管。 可以用PWM引脚，可以用普通的IO口，都可以，只要输出引脚即可。 你百度H桥，会有详细的方案。 和你用什么单片机关系不大。
我想问下关于N沟道MOS全H桥驱动电机问题。我用的是2片IR2104S驱动4个NMOS，但是输入为低电平mos下管长期打开，PWM工作时会切换。
控制2个电机A 和B的电路，每个电机1组H桥需要4个mos 管，所以有8个。
完全可以让MOS处于开通状态，不过前提是你MOS的导通内阻要很低，并且散热一定要好，要不然很难工作。
当两根相距较近的导线流过大 电流脉冲 信号时，电流产生的磁场会使得导线间存在力的作用。有可能是 方波 太陡造成的，在 场效应管 的GS上并个电容试试。
1、图中，上桥臂Q1和Q3采用PNP型三极管，Q2和Q4采用NPN三极管，因为Q1和Q3是高端驱动，采用了PNP管子就避免带来驱动电路设计的麻烦。
2、当两根相距较近的导线流过大电流脉冲信号时，电流产生的磁场会使得导线间存在力的作用。有可能是方波太陡造成的，在场效应管的GS上并个电容试试。
3、就这个图来讲，只能用增强型MOS管才行保证正常导通截止，耗尽型下面两个NMOS任何时候都不能提供GS负偏压，它始终是导通的无法关断。用增强型上下管导通截止都没问题。
4、没有你的PCB版图，你的电路中，取消R22229，更换R22228成10K，并且把这四个通路，电路板连线最短！电动机需要并联一个104左右的电容！情况可能会改善。希望对你有帮助。
5、图中的R和D(如Q1上的R20和D4)都是保护电路，R20是在Q1被击穿时保护前面的H桥驱动芯片；D4是保护Q1免受过高驱动电压的损害(大于20V)。
1、应该是采样电阻阻值大了。你换成一小段导线做电流采样试试。
2、控制端应下拉，这样在控制端不接电源时，控制端才是可靠的低电平。现在这个图当不接电源时，控制端为悬空。
3、h桥驱动电机，一般都是驱动直流电机，小功率的，电流范围不是很大。要想电机能转动并且能调节方向，采用h桥是比较理想的电子换向驱动。
4、没有你的PCB版图，你的电路中，取消R22229，更换R22228成10K，并且把这四个通路，电路板连线最短！电动机需要并联一个104左右的电容！情况可能会改善。希望对你有帮助。
5、mos管严重发热大多是驱动不足，工作在放大状态。
6、H桥高边驱动MOS管（上面两个）应该要用P-MOS；分左右两边半桥，单边半桥共用同一个控制信号，则同一时间只会有一个（上或下）MOS管导通。
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