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三极管是电流驱动(三级管驱动电流)

发布时间:2023-05-15
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求助:三极管的基极工作电压是多少到多少?

三极管是电流驱动工作的,基极特性与二极管正向特性相同,导通时基极与发射极之间电压Vbe约0.7V(硅管)顷没冲,电压些许变化就会引起基极电流较大的变化,从而引起集电极电流很大的变化,这就是三极管的电流放大特性。 三极管基极工作电压就是0.7V,但是区分三极管的工作状态是在线性区(放大状态),还是在非线性区(开关察铅状态雀歼),要看各极的电流与电压,而不单是电压。

bjt三极管开关电路为什么是电流驱动

bjt三极管使电流驱动元件,FET管是电压驱动元袭纯件。

bjt三极管在驱动时,基极总是拍亩咐要吸收一定的电流的,因此是电流驱动元件。

FET管是靠电压驱动的,其输入阻抗很大,可以认为不吸收电流,是电压驱动元件。

二者的主要不同耐枯,就是一个需要吸收电流,一个不需要,因而有不同的应用。

三极管的集电极电压有什么用?

不知道你是怎么学的电子。

1、三极管属于电流型驱动器件,NPN型三极管工作在放大状态,当微弱的交流信号通过三极管基极输入,然后集电极输出放大慧迹的交流信号。(分立元件功放也可以这么做的。),所以三极管工作在放大状态时,Ic=B×Ib(B是三极管的放大倍数),Ibe电流要远远小于Ice电流,才能形成放大电路,比如说,基极偏置电阻为100K,集电极电阻为1K,采用9014 NPN三极好模管,供电电压为12V,那么这就是放大电路。而集电极电阻与基极电阻的配合使三极管前袜并工作于放大状态,并且提供偏置电流,形成静态工作点。

2、三极管处于开关状态,上面已经讲了三极管是电流型驱动器件,那么只根电流有关,只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏,电压为0.7V,那么CE极深度饱和导通,CE极压降很低的,整体电压都加在集电极电阻上了,而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。例如:基极偏置电阻为5K,集电极电阻为10K,供电电源为12V,一定是工作在开关状态。

如何区分mos管和三极管的区别

1、三极管是电流驱动型;MOS是电压驱动型;

2、三极管便宜,mos管贵。

3、三极管损耗大。

4、mos管常用来电源悉如开关,以及大电流地方开关电路。

三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。

MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较睁戚启敏感的地方。

一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。

北京仔团南电科技主要就是销售二三极管的

三极管与MOS管的区别

三极管BJT与场效春笑应管FET的区别很多,简单列出几条:

1、BJT放大电流,FET将栅极电压转换模逗为漏极电流。

BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm;

2、BJT线性较差,FET线性较好;

3、BJT噪声较大,FET噪声较小;

4、BJT极性只有NPN和PNP两类,FET极性有N沟道、P沟道,还有耗尽型和增强型

所以FET选型和使用都比较复杂;

5、BJT输入电阻小,消耗电流大,旦森卖FET输入电阻很大,几乎不消耗电流;

总的看,无论在分立元件电路还是集成电路中,FET替代BJT都是一个大趋势。

三极管是电压还是电流控制的!

电流控制。

三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之态笑一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

理论原理

晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电盯闭迟源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于凯李基极电源Eb。

在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流了。

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