三极管是电流驱动（三级管驱动电流）

发布时间：2023-05-15

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本文目录一览：

1、求助：三极管的基极工作电压是多少到多少？
2、bjt三极管开关电路为什么是电流驱动
3、三极管的集电极电压有什么用？
4、如何区分mos管和三极管的区别
5、三极管与MOS管的区别
6、三极管是电压还是电流控制的！

求助：三极管的基极工作电压是多少到多少？

三极管是电流驱动工作的，基极特性与二极管正向特性相同，导通时基极与发射极之间电压Vbe约0.7V（硅管）顷没冲，电压些许变化就会引起基极电流较大的变化，从而引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的电流放大特性。三极管基极工作电压就是0.7V，但是区分三极管的工作状态是在线性区（放大状态），还是在非线性区（开关察铅状态雀歼），要看各极的电流与电压，而不单是电压。

三极管是电流驱动（三级管驱动电流）

bjt三极管开关电路为什么是电流驱动

bjt三极管使电流驱动元件，FET管是电压驱动元袭纯件。

bjt三极管在驱动时，基极总是拍亩咐要吸收一定的电流的，因此是电流驱动元件。

FET管是靠电压驱动的，其输入阻抗很大，可以认为不吸收电流，是电压驱动元件。

二者的主要不同耐枯，就是一个需要吸收电流，一个不需要，因而有不同的应用。

三极管的集电极电压有什么用？

不知道你是怎么学的电子。

1、三极管属于电流型驱动器件，NPN型三极管工作在放大状态，当微弱的交流信号通过三极管基极输入，然后集电极输出放大慧迹的交流信号。（分立元件功放也可以这么做的。），所以三极管工作在放大状态时,Ic=B×Ib(B是三极管的放大倍数)，Ibe电流要远远小于Ice电流，才能形成放大电路，比如说，基极偏置电阻为100K，集电极电阻为1K，采用9014 NPN三极好模管，供电电压为12V，那么这就是放大电路。而集电极电阻与基极电阻的配合使三极管前袜并工作于放大状态，并且提供偏置电流，形成静态工作点。

2、三极管处于开关状态，上面已经讲了三极管是电流型驱动器件，那么只根电流有关，只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏，电压为0.7V，那么CE极深度饱和导通，CE极压降很低的，整体电压都加在集电极电阻上了，而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。例如：基极偏置电阻为5K，集电极电阻为10K，供电电源为12V，一定是工作在开关状态。

如何区分mos管和三极管的区别

1、三极管是电流驱动型；MOS是电压驱动型；

2、三极管便宜，mos管贵。

3、三极管损耗大。

4、mos管常用来电源悉如开关，以及大电流地方开关电路。

三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。

MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较睁戚启敏感的地方。

一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。

北京仔团南电科技主要就是销售二三极管的

三极管与MOS管的区别

三极管BJT与场效春笑应管FET的区别很多，简单列出几条：

1、BJT放大电流，FET将栅极电压转换模逗为漏极电流。

BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm；

2、BJT线性较差，FET线性较好；

3、BJT噪声较大，FET噪声较小；

4、BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型

所以FET选型和使用都比较复杂；

5、BJT输入电阻小，消耗电流大，旦森卖FET输入电阻很大，几乎不消耗电流；

总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。

三极管是电压还是电流控制的！

电流控制。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之态笑一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

理论原理

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电盯闭迟源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于凯李基极电源Eb。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。

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