减少mos管发热（mos管发烫严重怎么办）

发布时间：2023-05-15

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本文目录一览：

1、压降较大MOS管发热怎么办?
2、大侠们！在密闭的环境下，怎么降低功率MOS的温度啊？
3、MOS管总发烧？大部分就是这四个原因
4、求led驱动mos管发热严重解决办法
5、如何解决开关电源MOS管和变压器温升过高问题？

压降较大MOS管发热怎么办?

1、对抗性方法：强制散热，增大散热片面积，将MOS管与散热片紧贴（加硅胶），必要时采用强制风冷（风扇吹）等等。

2、解决性方法：调整MOS管的工作点，或者工作与开关模式（即在可变电阻区和夹断区之间切换，丛缺而不是一直工作在恒流区）。

100多V肯定不对，你把条件说说，我感芹塌觉你用固态继电器会好一点，MOS这里不太合适渗首辩。

减少mos管发热（mos管发烫严重怎么办）

大侠们！在密闭的环境下，怎么降低功率MOS的温度啊？

1、加厅铅大散热器面积；袜伏芦

2、使用热管将热量导出密闭容器外进行散热；

3、使用水冷散热器；

4、使用石墨散热器；

5、减少MOS管通过的电告带流或开关频率；

6、MOS管余量加大。

MOS管总发烧？大部分就是这四个原因

　做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到场效应管，也就是人们常说的 MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。接下来我们来了解 MOS管发烫四大关键因素。

本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。

功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF左右，2N60的cgs为350pF左右，5N60的cgs为1200pF左右，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。B、剩下的就是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，所以功率管发热时，首先空伍要想想是不是频率选择的有点高。想办法降低频率吧！不过要注意，当频率降低时，为了得到相同的负载能力，峰值电流必然要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大，可以考虑将CCM（连续电流模式）改变成DCM（非连续电流模式），这样就需要增加一个负载电容了。

这个也是用户在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。对于前者，注意不要将负载电压设置的太高，虽然负载电压高，效率会高点。对于后者，可以尝试以下几个方面：a、将最小电流设置的再小点；b、布线干净点，特别是sense这个关键路径；c、将电感选择的小点态亏老或者选用闭合磁路的电感；d、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，不过对于照明来说应该够了。无论如何降频没有好处，只有坏处，所以一定要解决。

终于谈到重点了，我还没有入门，只能瞎说点饱和的影响了。很多用户反应，相同的驱动电路，用a生产的电感没有问题，用b生帆升产的电感电流就变小了。遇到这种情况，要看看电感电流波形。有的工程师没有注意到这个现象，直接调节sense电阻或者工作频率达到需要的电流，这样做可能会严重影响LED的使用寿命。所以说，在设计前，合理的计算是必须的，如果理论计算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是否降频和变压器是否饱和。变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也跟着增加。在平均电流不变的前提下，只能看着光衰了。

求led驱动mos管发热严重解决办法

在进行开关电源测试中，除了用三用表测量控制电路其他器件的引脚电压，比较重要的是用示波器测量相关的电压波形。当判断开关电源是否工作正常，测试什么地方才能反映出电源的工作状液禅态，变压器原边和次级以及输出反馈是否合理，开关MOS管是否工作正常，PWM控制器输出端是否正常，包括脉冲的幅度和占空比是否正常，等等。

测试点的合余此理选择非常重要，正确选择既安全可靠测量，又能反映故障的原因所在，迅速竖埋迅查找出原因。

分析这次MOS管故障的原因，根据开关电源以前的所了解的，一般引起MOS管发热的原因是：

1：驱动频率过高。

2：G极驱动电压不够。

3：通过漏极和源极的Id电流太高。

因此测试重点放在MOS管上，准确测试它的工作状况，才是问题的根本。选择测试点如图：

Q1为功率开关MOS管，A点为漏极，B点为源极，R为电流取样电阻，C点为接地端。把双踪示波器的两个探头分别接到A和B点，两个探头接地端同时卡住电阻R的接地端C处。

MOS管漏极测试A点波形

而从B点的波形可以看出，MOS管的源极电压波形，这个波形是取样电阻R上的电压波形，能够反映出漏极电流极其导通和截止时间等信息，如下图分析：

可以看出，每个周期中，开关MOS管导通时，漏极电流从起始到峰值电流的过程。

取样电阻R的B测试点电压波形

A和B点，这就是两个关键的测试点，基本上反映了开关电源的工作状态和故障所在，导通的时候的尖峰电压和尖峰电流非常大，如果能够将导通的尖峰电压和尖峰电流消除，那么损耗能降一大半，MOS发热的问题就能解决。当然也是发现MOS管工作正常与否的最直接反映。

通过测试结果分析后，改变栅极驱动电阻阻值，选择合适的频率，给MOS管完全导通创造条件，MOS工作后有效的降低了尖峰电压，又选择了内阻更小的MOS管，使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。经过这样处理后，重新实验，让整个电源正常工作后，加大负载到满负荷工作，MOS管发热始终没有超过50°，应该是比较理想。

在用示波器测试过程中，要特别注意这两个测试点的波形，在逐步升高输入电压的时候，如果发现峰值电压或者峰值电流超过设计范围，并注意MOS管发热情况，如果异常，应该立刻关闭电源，查找原因所在，防止MOS管损坏。

如何解决开关电源MOS管和变压器温升过高问题？

开关电源中主要的发热元器件为半导体开关管、功率二极管、高频变压器、滤波电感等。不同器件有不同的控制发热量的方法。功率管是高频开关电源中发热量较大的器件悄陵之一，减小它的发热量，不仅可以提高功率管的可靠性，而且可以提高开关电源的可靠性，提高平均无故障时间（MTBF）。开关管的发热量是由损耗引起的，开关管的损耗由开关过程损耗和通态闷悔损耗两部分组成，减小通态损耗可以通过选用低通态电阻的开关管来减小通态损耗；开关过蚂运正程损耗是由于栅电荷大小及开关时间引起的，减小开关过程损耗可以选择开关速度更快、恢复时间更短的器件来减少。但更为重要的是通过设计更优的控制方式和缓冲技术来减小损耗，如采用软开关技术，可以大大减小这种损耗。减小功率二极管的发热量，对交流整流及缓冲二极管，一般情况下不会有更好的控制技术来减小损耗，可以通过选择高质量的二极管来减小损耗。对于变压器二次侧的整流可以选择效率更高的同步整流技术来减小损耗。对于高频磁性材料引起的损耗，要尽量避免趋肤效应，对于趋肤效应造成的影响，可采用多股细漆包线并绕的办法来解决。 5.2.2 开关电源的散热设计MOS管导通时有一定的压降，也即器件有一定的损耗，它将引起芯片的温升，但是器件的发热情况与其耐热能力和散热条件有关。由此，器件功耗有一定的容限。其值按热欧姆定律可表示为：

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