开关最快的器件（开关速度最快的器件）

发布时间：2023-06-22

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1、IGBT的主要优点有：IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。

2、从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。

3、前沿很陡的门极电压使 IGBT 快速开通，达到饱和的时间很短，因此可以降低开通损耗，同理，在 IGBT 关断时，陡峭的下降沿可以缩短关断时间，从而减小了关断损耗，发热量降低。

4、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

5、单管GTR饱和压降VCES低，开关速度稍快，但是电流增益β小，电流容量小，驱动功率大，用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。

半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开关打开（电路切断），所以二极管可作开关用，常用型号为IN4148。

in4148是开关二极管，耐压75v，工作电流1a，正向压降1v，工作频率1mhz。

in4007是1A整流管，主要用于交流整流，单向导通、续流、钳位等；in4148是开关二极管，主要用于钳位、检波，与电阻串联可以组成二极管门电路。

前者是硅开关二极管，速度较快，但电流小压降大后者是肖特基整流二极管，速度快、电流大，压降相对较小，但成本要贵于前都。

开关最快的器件（开关速度最快的器件）

其主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode--SBD），简称为肖特基二极管。

肖特基二极管开关速度最快，50ns以下。耐压低，一般都是200V以下。漏电电流比较大，mA级。正向压降小，0.3~0.7V。

主要类型如下：按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

能工作的频率越高，开关速度越大。三极管能达到的开关速度最大，场效应管的开关速度最小。开关管的速度不一定大，但导通时的电压很小，这一点非常有用。