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1、对模皮PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。
2、PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使拆码敬用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方旅慎便地用作高端驱动。
3、但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
这个方法是曾经做电机驱动时候的哗型计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说乱樱猜MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型颂腔的内阻，只要完全导通，误差不很大。
mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、备皮t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
1. t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th） ，导电沟道没有
形成，MOSFET仍处于关闭状态。
2. [t1-t2]区间, GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，
MOSFET开启，DS电流增加到ID, C gs2 迅速充电，Vgs由Vgs（th）指
数增长到Va
3. [t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，C gd
电容大大增加,栅极电流持续流过，由于C gd 电容急剧增大，抑制了
栅极电压对C gs 的充电,从而使得V gs 近乎水平状态，C gd 电容上电压增
加,而DS电容上的电压继续减小;
4. [t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压
,Millier效应影响变小，腔举C gd 电容变小并和C gs 电容一起由外部驱动电
压充电, C gs 电容的电压上升,至t4时刻为止.此时C gs 电容电压已达稳仿圆差态
,DS间电压也达最小，MOSFET完全开启。
可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通。如果箭头指向栅极，那么MOS管就是高电平导通。如果箭头未指向栅极，那么MOS管就是低电平导通。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管晶体管逻辑电路不兼容。
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅绝缘层，在漏——源极间的迹仿绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
扩展资料：
MOS管的应用：
1、PMOS管
反向保护电路中用到PMOS，不用使用二极管是压降更小耗散无用功更少。别看有一个寄生正向二极管，但它完全没有用处。
在电路正常通电时，GATE接在远低于D端的0电位上，此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端，PMOS完全截止 。
2、NMOS管
反向保护电路中用到PMOS，不用使用二袭帆极管是压降更小耗散无用功更少。拍州雹别看有一个寄生正向二极管，但它完全没有用处。
在电路正常通电时，GATE接在远低于D端的0电位上，此PMOS是完全导通的。反接电源时GATE的电位又远高于S端，PMOS完全截止。
参考资料来源：百度百科—pmos
参考资料来源：百度百科—NMOS
MOS管导通后的Vgs电压始终为做陆租该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。
N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。
mOS管注意：
1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极悉逗限值。
2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性，如结型MOS管栅源漏之间是PN结。纯兆N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压。
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