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irfmos管选型（irf是什么管）

发布时间：2023-06-22
阅读量：62

本文目录一览：

如何选mos管

很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

irf150可以用什么型号的管子替换???

1、IRF5210是P-MOS管，100V，8A，200W，IRF5210L，IRF5210S则为100V，16A，200W。 代换型号有IRF6218，150V，27A，250W。

2、不行吧...IRF1010E 60V 81A 而大多数电磁炉功率管1000V以上，电流8A---60A。

3、可以用IRF3205代换IRF3710 ，不能用IRF3710代换IRF3205。相关参数如下：场效应管 IRF3205 参数是（55v，90A）场效应管 IRF3710 的参数是（100v，57A）代换原则是：与原来原件相同；替代品的参数要不小于原参数。

恒流源中的mos管为什么采用irf540

MOS管的选用关系到所设计的产的需求而选择合适成本，合适规格的，MOS管的规格主要是极性，耐压，内阻，电流，封装等。

IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V；540 100V)如果耐压满足的话就选3205。 频率最大可到100K，一般选50K较合适。

这两颗参数还是有区别的，IRF540参数为：耐压100V，电流23A，Rds小于等于77毫欧；IRF540N为：耐压100V，电流33A，Rds为40毫欧。

IRF540就是很常用的MOS管了，特殊负载如H桥里面的双MOS驱动。有专用的驱动芯片如IR2103 如果只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。

IRF540就是很常用的MOS管了 特殊负载如H桥里面的双MOS驱动 有专用的驱动芯片如IR2103 如果只是单个MOS管的普通驱动方式 像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。

IRF540是N-MOS管，100V，27A，125W。可用IRF140，BUK436-100B，2SK906，IXTS30N10代换。

mos管的常见型号

1、IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。

2、贴片8脚场效应管MOS管9926A20V6A双N沟道，产品广泛应用于显示屏车载LED照明无线充方案，产品型号(PartNo.)：9926A。

3、IRFZ44N是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为49A，具有低导通电阻和高开关速度。IRF3205是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为110A，具有较低的开关电阻和高开关速度。

MOSFET管的前端应该接多大的电阻,该如何选择,我想选用IFR450,应该选...

1、这个可以大概估算出来，先从靠近MOSFET的电阻开始选择。看你MOSFET的参数，电压，输入电容，一般R5大概在10R-220R之间吧。很显然，R4+R5等于栅极驱动电阻，R4大约取100R-470R之间，R4太小了电流太大，三极管Q2过热。

2、对于场效应管来说，栅极输入端所加的电阻可以高一些，几百千欧或者几兆欧都可以。

3、为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

4、很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。

5、MOSFET管的选择 选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

关键词：电容 导通电阻 mos管 irfmos管 电阻

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