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1、凝胶成像与化学发光的区别在于化学反应过程中伴随光辐射现象,故称为化学发光。
2、在整个的检测系统中其关键的部分为 PMT ,其直接影响到仪器的检测性能,其最高检测极限为 10 - 22 mol/L 。
3、化学发光免疫分析原理是什么 化学发光免疫分析包含两个部分,即免疫反应系统和化学发光分析系统。
4、与X胶片相比,化学发光成像系统具有瞬时影像处理、立即输出、不需要胶片处理装置及暗室等成本花费、可用软件半定量分析等优点,因而在现在的实验室里化学发光成像系统的使用已经逐渐取代传统的暗室压片曝光检测。
5、衡量CCD性能高低的指标,有分辨率、灵敏度、信噪比、动态范围等,而化学发光成像系统就需要CCD具有以高分辨率、高灵敏度、低噪声、宽动态范围等为主要参数的基本特性。
6、不需要。化学发光不需要分光系统,化学发光分析法反应装置简单,不需要复杂、昂贵的分光系统,化学发光是物质在进行化学反应过程中伴随的一种光辐射现象,可以分为直接发光和间接发光。
1、变频器电路板z1至z7是什么,需要看到具体电路图才可以确定。一般情况z1至z7是稳压管1至稳压管7的代号。
2、,第一个数字代表的是电路板上不同的模块。一般而言:1-主板电路,2-电源电路,3-反馈电路等等,这些都可以是设计者自主决定。3,之后的数字代表的是在这个功能模块上的同类元器件的序列号。即:第18个电阻器等等。
3、MC是接触器,INV是变频器,MS是切换开关。由电路图可以得知组件间的工作原理,为分析性能、安装电子、电器产品提供规划方案。在设计电路中,工程师可从容在纸上或电脑上进行,确认完善后再进行实际安装。
4、RLY 继电器.relay;F 保险丝 fuse;Z 稳压管 zener;Q 晶体三极管;LED 发光二极管 ;P pnp型晶体三极管;D 晶体二极管 diode;U 集成电路;VAR 可调电阻 (varible res...) ;TP 测试端子(test pad)。
实际应用中,为了可靠地工作,可控硅的(电路设计时)触发电流都是大于10mA的。可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
您好:用电流卡表的交流档测量,也可以用电流互感器测量。
(1)KP5-10表示通态平均电流5安,正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。(2)KP500-12D表示通态平均电流500安,正、反向重复峰值电压1200伏,通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
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