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电阻与mos管并联（mos电阻区）

发布时间：2023-06-22
阅读量：263

本文目录一览：

mos管并联后电流增加多少

理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。

mos管并联一般都是在电流放大电路，当输出电流不够时，需要并联几个或几十个。

两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。

理论上，只要解决好电流分配问题，MOS管的并联没有上限。但实际上，由于栅极电容的影响，在多个并联时，要加栅极驱动电路。

四个MOS管并联使用是扩展电流的，增加输出功率。这使用方法是当单个MOS管功率达不到所需值时才并联使用。

并联运用可以增大通过的电流，但是不能增加耐压，电流大了功率也能相应增大。

MOS管GS端并联电阻后驱动波形是什么样子?

mos管gs波形是一个正弦波，因为mos管的控制是通过栅极电压来实现的。

也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。三极管的基极电流一般只有1mA就可以让其饱和导致了。具体的，你可以看一下这个三极管的规格书。

刚上电时，变压器蜂鸣逐渐加重，MOSFET两端电压反常，波形如下图，而且测得的周期（约75us）与设计值（40kHz，25us）差了3倍。这是过载了，芯片进入了降频保护模式。

这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。

硬件问题。根据你的描述和图片显示，逆变半桥MOS管驱动波形问题。驱动波形不是很好，其实还行吧， 不一定是米勒电容与变压器形成了LC振荡 。确实有些振荡，但问题不大，要想消除这种振荡，需要增大一点电容容量就好了。

为什什在开关电源的MOS管的基极驱动电阻上并个二极管,它能起到加速MOS...

1、mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

2、那个二极管主要加快MOS的关断速度，不过功率比较小的情况下效果不是太明显。

3、一般是起保护作用，并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。

一电阻和一电容串联后,并联在mos管的漏极与源极之间,请问作用是什么...

泄放电阻，防止静电击穿GS结以及把G极可能的残留电荷导向地。

这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。

）电容的作用是：阻止直流信号通过，而允许交流信号通过。或者是减小低频信号的通过能力，增加高频信号的通过能力。2）电阻与电容并联的作用，是希望直流信号或者低频信号通过较困难，而交流信号或者高频信号较容易的通过。

在开关电源中，通常的设计会在MOS管的漏极或者IGBT的C如你所说的加电阻并二极管（应该还要串一电容）至电源的正极。此电路是缓冲电路，吸收电路尖峰，避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏。

虽然流过电容的电流有70ma，但在电容器上并不产生功耗，因为如果电容是一个理想电容，则流过电容的电流为虚部电流，它所作的功为无功功率。

mos并联需不需要每个g接地电阻

1、MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。

2、频率100K以上，必须使用专门的驱动电路（比如，图腾柱方式）或者MOS管专用驱动IC，不然的话MOS管容易烧毁。下拉电阻是防止G极残余电压误导通，不可太大或太小，10K到47K都可以。

3、电路连接有问题 如果是p管，那电路连接就是错的，p管，g脚电压是要小于s脚电压才能开启的，图中来看是不可能的。

4、mos输入端通过电阻接地的电阻值应为4k~6k之间不能多出这个范围之内，通过电阻接电的电阻值应该就在这个范围之内，希望对你有帮助，谢谢。

5、如果电阻很小，就是mos的ds击穿了，换一个mos管试一试，如果是np结电压在0.7v左右，那可能是选了个pmos带反向保护的。

6、G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。

关键词：寄生二极管 并联电阻 驱动电阻 电容容量 开关二极管 mos管并联 三极管的基极电流 电阻 电容的 接地电阻 电感电容 mos管 三极管的规格 电容 地电阻

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