mos管Qg（mos管qg是什么参数）

发布时间：2023-06-22

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1、不同的MOS的Qg是不一样的：MOS的G，S，D，在中间的条件下，得到右边的结果。

2、Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。

3、Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量，这个参数直接反应mos管的开关速度，越小的话MOS管的开关速度就越快.Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。3000qg即3000欧姆。

mos管Qg（mos管qg是什么参数）

1、Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。

2、Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量，这个参数直接反应mos管的开关速度，越小的话MOS管的开关速度就越快.Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。3000qg即3000欧姆。

3、不同的MOS的Qg是不一样的：MOS的G，S，D，在中间的条件下，得到右边的结果。

4、首先，需要知道用什么来表达栅极电荷泻放的速度，首先Qg（gate charge）是一个参考，另外Trr是不是也要考虑进去。如果应用其开关特性，那么现在在设计上考虑一般都是减小Rdson和Qg。

注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。　选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。

MOS管主要参数如下：开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

Mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。