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1、TI有个MOS芯片CSD87351Q5D,能达到5M,但是典型应用里没提驱动芯片!MOS也得选Qgs低的贴片MOS才行呀。
2、驱动单个mosfet管用芯片。金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。
3、IRF730做几MHz?你没搞错吧。一般的功率MOSFET,工作频率在3MHz以下。而且频率越高,功率越小(晶体管的工作频率与功率是一对矛盾)。你要不就搜搜高频功率MOSFET看看。
4、MOS管驱动需要对栅极快充快放电,以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管,驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。
5、TL494是一款常用的PWM调制器,在控制电机、LED等应用中广泛应用。在使用TL494来驱动MOS管时,需要注意以下几个问题:输入电压范围:TL494的输入电压范围一般为7V至40V,需要确保输入电压在规定范围内,否则可能会损坏芯片。
6、在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
1、IR2110是一款高低侧驱动的MOSFET和IGBT驱动器。使用IR2110驱动单个MOSFET管的基本步骤如下:连接电源:将VCC引脚连接到5V或12V的电源,将COM引脚连接到地。
2、就是要一个TTL的方波吗?可以使用有源晶振实现,一般的有源晶振都是方波输出的;另外,如果输出地不是方波,可以使用一个逻辑门电路做一下整形,就可以的到方波。比如说74HC08/74HC14都行。
3、如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动,即用1脚和2脚,换作LIN给PWM信号。如果实在要用7脚与5脚的话,必须把5脚强制接COM,即接到15V的地。否则7脚对COM一直为高。
它是以光为媒介来传输电信号的器件,A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦, 5脚是负电压输入端,通常使用-5V电压。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件,光电耦合器件广泛运用在电脑终端机,可控硅系统设置,测量仪器、影印机、自动售票、家用电器,比如电风扇、加热器等。
1、单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西, 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以,要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲,最好用N沟道的MOS。
2、MOS管开关电路是利用一种电路,是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。
3、A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为1V~4V,标称3V;7V的锂电池,饱和是2V,选择3V工作的单片机,足够驱动了。
要看你是用在什么场合,如果半桥的话可以用IR2010,含自举电路,需要可以找我,我这里有相关资料,应该适合你。
用三极管不如用ULN2803,一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接,简单方便。
应该不行,既然用单片机处理,那么一般希望mos管工作在开关状态。因为mos管是电压驱动原件,饱和导通时电压一般在10V以上,而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。
我见过的都只要5V电压就行了,为什么要60V,你要测多远的?这么远啊,网上有见过用MAX232做的,直接用5V,理论上可以产生+/-10V电压,就是峰峰值为20V,可以试试。
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