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1、光敏电阻其工作原理是基于内光电效应。光照愈强,阻值就愈低,随着光照强度的升高,电阻值迅速降低,亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感,其在无光照时,呈高阻状态,暗电阻一般可达5MΩ。
2、光敏电阻中的亮电阻阻值小,暗电阻阻值大。参数不同 光敏电阻器在一定的外加电压下,当有光照射时,流过的电流称为光电流,外加电压与光电流之比称为亮电阻,常用“100LX”表示。
3、完全有。光敏电阻在阻值变化上有两种类型,一种是所谓的正系数型,也就是随着光强增大,电阻变大。而是负系数型,也就是光强越大,电阻越小。你直接买后一种就可以了。跟老板说一声。
1、光敏电阻阻值随光强变化,光线越强,阻值越小。光敏电阻(photoresistor or light-dependent resistor,后者缩写为ldr)或光导管(photoconductor),常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。
2、热敏电阻的阻值随温度的升高而减小,光敏电阻的阻值随光照的增强而变小。
3、当有光线照射时,电阻内原本处于稳定状态的电子受到激发,成为自由电子。所以光线越强,产生的自由电子也就越多,电阻就会越小。一般光敏电阻参数是以某一个光照度lux对应一个光敏电阻阻值。
4、光敏电阻随光照强度的增大,其电阻明显减小,原因是,当光敏电阻接受光照时,其内部自由电子获得能量产生移动,离开原来的位置而形成无数载流子(自由电子和空穴)使得电阻率降低,从而电阻减小。
1、光敏电阻有很多的型号,但常用的就两种,一种是从100千欧左右到无穷大;另一种是从几十欧姆到无穷大。
2、光敏电阻的暗阻一般为1MΩ~10MΩ,而亮阻为几百欧姆~几千欧姆。
3、强光照射光敏电阻受光面时,电阻值<1KΩ,光敏电阻受光面遮光时,电阻值>1MΩ。直接串联在一节干电池上是不可以的,应采用光敏电阻、电阻、三极管和发光二极管组成模拟开关电路来作感光实验。
光敏电阻阻值随光强变化,光线越强,阻值越小。光敏电阻(photoresistor or light-dependent resistor,后者缩写为ldr)或光导管(photoconductor),常用的制作材料为硫化镉,另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。
光敏电阻的阻值在有光时变小,无光时变大。三极管9014基极的导通电压为0.7V,如果有光,光敏电阻的电阻就小。它将基极除以r1和rp,得到0.7V的偏置电压,如果三极管9014的基极电压不足以导通,后面的vt2也会关断。
在一定的范围内,入射光强度与光敏电阻阻值的关系是(光照越强,阻值越小)。说明:光敏电阻对光线十分敏感,其在无光照时,呈高阻状态。光照越强,阻值就越低,随着光照强度的升高,电阻值迅速降低。
光照增强,光敏电阻的阻值增大。光敏电阻,入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化)。
光照愈强,阻值就愈低,随着光照强度的升高,电阻值迅速降低,亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感,其在无光照时,呈高阻状态,暗电阻一般可达5MΩ。光敏电阻的特殊性能,随着科技的发展将得到极其广泛应用。
光敏电阻,顾名思义,其阻值随着光照强度的变化而变化。但这变化不是固定的,要看具体型号。有的光敏电阻,随着光照强度的增加,电阻值是增加的;有的光敏电阻,随着光照强度的增加,电阻值是减小的。
1、光敏电阻的主要参数:(1)光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,当有光照射时,流过的电流称为光电流,外加电压与光电流之比称为亮电阻,常用“100LX”表示。(2)暗电流、暗电阻。
2、)亮电阻(kΩ):指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。2)暗电阻(MΩ):指光敏电阻器在无光照射(黑暗环境)时的电阻值。
3、灵敏度是指光敏电阻的暗电阻与亮电阻的相对变化。它主要表示了光敏电阻对照射光的敏感度,是光敏电阻的主要参数之一。最高工作电压 最高工作电压是指光敏电阻在额定功率下工作时所能承受的最高电压。
4、光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换,型号参数一般有以下几点:暗电阻、亮电阻 光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻,或暗阻。此时流过的电流称为暗电流。
5、光敏电阻的主要参数是:(1)光电流、亮电阻。光敏电阻器在一定的外加电压下,当有光照射时,流过的电流称为光电流,外加电压与光电流之比称为亮电阻,常用“100LX”表示。(2)暗电流、暗电阻。
6、灵敏度和半导体材料、以及入射光的波长有关。温度影响不同 光敏电阻受温度影响较大,响应速度不快,在ms到s之间,延迟时间受入射光的光照度影响,光电二极管无此缺点,光电二极管灵敏度比光敏电阻高。
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