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晶闸管(可控硅)仍然导通。 智能电容双向晶闸管(可控硅)关断条件：降低或去掉加在晶闸管(可控硅)阳极至阴极的正向电压，使阳极电流小8873csb于最小维持电流以下。
可控硅有阳极、阴极和触发极，主要关断方式是电流过零自然关断，也有通过其他辅助电路使可控硅强行关断的，如饿死阳流法、电流转移法、反向脉冲法等。
可控硅不可通过触发极关断。可控硅所在电路断电，它才能关断。
可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
可控硅怎么才能关断？唯一办法就是切断电源。当电压降到0V时，就会自动关断了。用可控硅控制交流电时，就是利用交流电的电压过零自动切断的。这就是为什么不能用可控硅控制直流电的原因，不能自动关断。
普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。
一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。
阳极（A）、阴极（C）和控制极（G）。可控硅有三个极分别是阳极（A）、阴极（C）和控制极（G），管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结，与只有一个PN结的硅整流二极管在结构上迥然不同。
可控硅有通断条件如下所示：导通条件：关断条件：可控硅晶闸管，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
导通条件：阳极加高电压，阴极加低电压，只有阳极的电压高于阴极的电压，然后在门极加出发电压就可导通。关断条件：在直流电路中可控硅一旦导通，门极就失去作用关断的条件是正负极电压消失或阴极电压高于阳极。
可控硅的关断的条件是：使主端子间的正向电流小于维持电流。可控硅的关断方法有：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压。利用储能电路强迫关断。
两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。
，由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下：A、从关断到导通阳极电位高于是阴极电位，控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。
可控硅若过零时。是否通断看是否还有触发电流，若有，还是通的，但没电流 若采用调相角形式，脉冲触发，电流小于IH（维持电流）就断开了。小功率一般采用调相角方式，过零就断了。大功率采用过零触发，开关方式。
可控硅中的PN结——是相临半导体间的空穴与电子扩散而形成各接触层间的电势垒。阻止了电子与空穴的继续扩散和漂移，达到一个平衡状态。
一是晶闸管 (可控制)阳极与阴极间加正向电压，二是控制极也要加正向电压。两个发光二材条件具备，晶闸管(可控硅)才会处于导通。
可控硅经触发导通以后，控制极就失去控制作用，要可控硅截止，只有降低阳极电流，当阳极电流小于维护电流时，可控硅就关断。\x0d\x0a维持电流就是阳极与阴极之间的电流，在可控硅的参数中，都会有这一个指标值。
可控硅关断需要通过的电流小于维持电流就可以实现。直流电路中可控硅的管断的方法：等到交流电经过零点的时候才关掉，可以做个过零检测，快过零的时候之前关掉它。
可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
可控硅有阳极、阴极和触发极，主要关断方式是电流过零自然关断，也有通过其他辅助电路使可控硅强行关断的，如饿死阳流法、电流转移法、反向脉冲法等。
可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
导通条件：正极电压大于负极电压 ，有触发脉冲。两个条件缺一不可。截止条件：正极电压低于负极电压或是低于维持维持电流就关断。
可控硅导通条件：可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，控制极也要加正向电压。可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
1、晶闸管(可控硅)一且导通后，即使降低控制极电压或去掉控RS触发制极电压，晶闸管(可控硅)仍然导通。
2、可控硅的关断的条件是：使主端子间的正向电流小于维持电流。可控硅的关断方法有：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压。利用储能电路强迫关断。
3、可控硅经触发导通以后，控制极就失去控制作用，要可控硅截止，只有降低阳极电流，当阳极电流小于维护电流时，可控硅就关断。\x0d\x0a维持电流就是阳极与阴极之间的电流，在可控硅的参数中，都会有这一个指标值。
4、当PN结反偏时，相当于外界电压增强了PN结的电势垒，电子与空穴的扩散更是不容易，但是电子与空穴的漂移将大大增强，至于反偏是否能导通，取决于漂移电子的数量。知道了上述四点，就可以理解可控硅的关断条件了。
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