结型场效应管和mos管（结型场效应管与mos管的区别）

发布时间：2023-06-23

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结型场效应管（JFET），是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，从而实现对漏电流大小的控制。

结构、性能，都有区别。内容不少。此处，哪能写那么多。

它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）。与结型管相比，MOS管的输入电阻更大，通过电流能力很强，耐压值也可以做到比较高，可以承受更大的功率。但在频率特性上面，MOS管的表现不如结型管。

场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。 MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。

场效应管是场效应晶体管的简称，它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。它仅依靠半导体中的多数载流子来导电，故又称为单极型晶体管。

场效应管的品种许多，按构造可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管次要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。

结型场效应管（JFET）结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。

判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（IGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。由于绝缘栅型的栅极为金属铝，所以又称为MOS管。

耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。

用N沟来说吧，如果G高于S时候导通（比如VGS=3V）那就是增强型的，如果G低于S时候就可以导通，那就是耗尽型的。用万用表测量，如果GS短路时候DS导通了，那就是耗尽的。

结型场效应管和mos管（结型场效应管与mos管的区别）

离子交换柱的原理：采用离子交换方法，可以把水中呈离子态的阳、阴离子去除，以氯化钠（NaCl）代表水中无机盐类。

离子交换柱主要是利用离子交换树脂中的离子同原水（液体）中的钙、镁及铁离子进行交换而将其去除，使水（液体）得到净化。

阴离子交换柱和阳离子交换柱都是常见的离子交换色谱柱，但是它们的工作原理和流出水的离子种类不同，因此流出水的电导率也不同。在阴离子交换柱中，固定相通常是带有正电荷的树脂，它可以吸附带有负电荷的阴离子。