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ic三极管的简单介绍

发布时间：2023-06-23
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三极管三个电极的电流关系为当他工作在放大状态时IC由什么决定其关系式...

1、三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。

2、e，b，c三个极 发射极电流ie=基极电流ib+集电极电流ic 三级管是电流放大器件，在放大状态下，ib与ic与成固定比例，这是三级管的一个很重要的参数，用β表示。ic=βib β一般从几倍到上百倍都有。

3、双极型晶体管处于放大状态时，三个电极电流的大小关系是IE=(1+β)IB。IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。

4、要使三极管处于放大状态，基极电流必须为：01V 以上，UBE0，UBC0，也就是说，发射结正偏，集电结反偏。三极管在放大状态时，IB 与IC 成唯一对应关系。当IB 增大时，IC 也增大，并且1B 增大一倍，IC 也增大一倍。

5、Ic与Ib是维持一定的比例关系，这样，通过电阻转变为电压放大作用，在基极补充一个很小的Ib， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为，就可以在集电极上得到一个较大的Ic。

6、输出端的变化要比输入端的变化大几倍到几百倍，这就是放大电路的基本原理。计算三极管的电流和极间电压值，应采用直流通路(电容开路)。

三极管参数Vceo和Ic是什么意思

1、Vceo是集电极与发射极之间的饱和电压降，三极管b代表基极，e代表发射极，c代表集电极，这一般都是最基本的参数；Vces是基极发射极短路，集电极发射极的反向击穿电压，三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和压降。

2、Ic是指三极管的c极（集电极）的电流。ICM是三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流。

3、Vbeo基极与发射极之间的饱和电压降；VCEO，集电极与发射极之间的饱和电压降。

4、hFE：电流放大倍数。VCEO：集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。PCM：最大允许耗散功率。封装形式：指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

5、有的型号还给出很短时间内的最高管脚焊接温度。

6、SA1930是硅外延型PNP型功率放大、功率驱动三极管。Vceo=-180V、Ic=-2A、Pc=20W、fT=200MHz、HFE=100-320。2SC5171是硅外延型NPN型功率放大、功率驱动三极管。其参数和2SA1930完全一致。

共射电路中三极管Ic的最大电流是多少?

理论上Ic是255mA，这个Ic是可流过集电极的最高电流，具体实际电流要根据电压和负载的电阻而定（I=U/R），三极管到达保护区可视为开关作用。

因为此次电路设计没有太多要求，只要在三极管的最大额定集电极电流（150mA）之下就可以。一般原则为对于小功率管，一般设Ic在零点几毫安 到几毫安，中功率管则在几毫安到几十毫安，大功率管则在几十毫安到几安。

工作电压和电流是其中两项重要指标。集射电压等级，从30v开始，高的可以达到1000v，甚至更高。工作电流等级，从100毫安到几安培几十安培的都有。对于不确定的三极管型号，是无法知道其工作电压和电流的。

三极管Ic的最大允许电流是手册上提供的，也就是厂家提供的，叫ICM。

。根据查询三极管相关信息得知，三极管c极到e极最大电流是70。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。

三极管中的Ic如何算

1、三极管运用于饱和状态时，只要Ib大于（2倍以上）Ic/HFE，计算Ic时就与Ib无关，只需Vcc/RL就行了。RL为负载电阻，如继电器线圈的直流电阻、指示灯的电阻等。

2、三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。

3、Ic是指三极管的c极(集电极)的电流。Ic（的变化）是多大，是要看从基极流到发射极的电流Ib来决定的，一点点小的Ib变化，就能导致很大的Ic变化，这就是所谓的三极管的放大作用。

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芯片内部部分器件参数变化（如器件参数时间漂移）或内部部分器件损坏，引起芯片工作状态改变而导致工作异常。芯片外部部分器件参数变化如器件参数时间漂移）或外部部分器件损坏，引起芯片工作状态改变而导致工作异常。

三极管的两个参数,IC和ICM.

1、为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。PCM是集电极最大允许耗散功率。

2、良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的 Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。

3、主要有：工作电压，工作电流，最大输出功率，放大倍数，工作频率。

4、极限参数 （1）最大允许电流Icm：指三极管集电极电流不超过允许值最大允许值。（2）最大允许功率损耗Pcm：表示集电极允许损耗功率的最大值。三极管的反向击穿电压 （1）集电极的反向击穿电压。

5、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。

6、Icm就是三极管的最大集电极电流。一般使用管子时，不允许超过此值，否则管子的β会显著变差，甚至损坏。

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