可控硅参数详解（可控硅参数详解大全）

发布时间：2023-06-23

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1、可控硅元件的主要参数及意义如下：(1)正向阻断峰值电压(UDRM)。它等于正向转折电压减去100V。(2)反向阻断峰值电压(URRM)。它等于反向转折电压减去100V。(3)额定正向平均电流(IT)。

2、弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。可控硅的主要参数：1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。

3、z3m可控硅参数如下：最大额定电压（Vdrm）：可控硅能承受的最大电压值。最大额定电流（Idrm）：可控硅能承受的最大电流值。最大额定功率（Pd）：可控硅在最大电压和电流下能承受的最大功率。

4、可控硅BTA208X600E、JST12X1000CW和BCR8PM14L是不同型号的可控硅，它们的参数可以通过查看数据手册进行了解。以下是每个型号的主要参数：- BTA208X600E：额定电压为600V，额定电流为8A，触发电压范围为5V到7V。

5、OT409 是一种双向可控硅 (Bidirectional Thyristor)。它的参数包括极限重复峰值电压（ Vdrm），极限前向电压（ Vf），极限峰值电流（ Itsm），控制电压（ Vgt）等。这些参数可以根据具体的应用需求进行选择。

6、可控硅刚从阻断转为导通状态就将触发电压去除，此时保持可控硅导通所需的最小阳极电流叫掣住电流，用I(表示。对同一个可控硅来说，I(通常是IH的2~4倍)。

晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。

光耦可控硅是光电耦合器和可控硅组成的电路，作用类似于继电器。光电耦合器，简称光耦，是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

光耦可控硅工作原理光耦可控硅是一种可以控制电流的电子元件，它由一个可控硅和一个光耦合器组成。可控硅是一种可以控制电流的电子元件，它由一个可控硅和一个光耦合器组成。

不是同一种元件，并且两者是不能相互替换的。

1、N5551是一种NPN型高反压三极管。直流电流增益hFE最小值(dB)：80 直流电流增益hFE最大值(dB)：250 集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V)：160 集电极最大电流Ic(max)(A)：0。

2、BT151是一只单向可控硅，额定电流5A，耐压800V。将万用表拨至Rx1Ω档，黑笔接阳极，红笔接阴极，用手捏触发极搭阳极，离开，就会看见表针偏转，证明可控硅已经导通。不触发的情况下，测量阴极阳极两脚阻值，不通为好。

3、BT151不是三极管，是晶闸管，引脚如下图用万用表电阻档测量1脚和2脚，正反两次都应该是无穷大；用二极管档测量1脚和3脚；红表笔接3，黑表笔接1（数字表），应该有0.7V左右的电压，反之无穷大。

4、BT151 500R：12A/500V可控硅外形封装：TO-220 BT151 500C：外形封装：DIP C752 NPN 通用 30V//0.1A/300MHz 能查到的只有这些。

5、(4) 触发电流IGT＜15mA（分档范围：3-4mA）。(5) BT151-500R：断态重复峰值电压VDRM＞550V，反向重复峰值电压VRRM＞550V。(6) BT151-650R：断态重复峰值电压VDRM＞650V，反向重复峰值电压VRRM＞650V。

6、它的标准参数如下：电流放大倍数（β）约为120，集电极—发射极电压（VCE）为45V，发射极—基极电压（VBE）为9V，集电极—基极电压（VCE）为5V，发射极最大电流（IC）为500mA，集电极最大电流（IB）为50mA。

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