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1、内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)场效应管,一般称为绝缘栅极场效应管。
2、这个二极管就是为这个电动势提供一个泄放的通路,由于电动势的方向与电源的方向相反,所以叫做反向电动势,二极管也是反向接入的。有了它,电动势就不会太高了,保护了半导体开关从而保护了其他元器件不至于损坏。
3、这个二极管是保护二极管。电路接通时,因电压上正下负,二极管是截止的,没有电流通过。由于发热管这条通路电流非常大,若发热管本身存在电感,在通断瞬间会因电感产生很高的反电动势,危及发热管和下面IGBT管。
1、如果D极电压高于S极是不是这个二极管就会导通那要看管子的极性,是P沟还是N沟。这是生产工艺造成的。漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。
2、内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属(M)-氧化物(O)-半导体(S)场效应管,一般称为绝缘栅极场效应管。
3、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
4、一般是起保护作用,并且一般采用反向二极管或者稳压二极管。
5、不是所有的MOS管都存在这个二极管,只有V-MOS管(垂直导电)才有。这个二极管也不是“加”上去的,是该类管子制作工艺过程中与底衬间的寄生二极管,天然存在,不要不行。
1、另外我个人认为,这个寄生二极管相当于一个快恢复二极管,毕竟MOS的工作频率较高,如果频率低,则没必要考虑寄生二极管的特性,频率很高的时候,正向不能正常工作也就没必要考虑反向特性。
2、可以,一般寄生二极管可通过的电流为MOSFET本身可以通过的电流。只不过他的压降会大一些,反向恢复时间会长一些,如果频率不高的话,还是没有问题的。
3、MOSFET的反并二极管,是一个普通二极管!且只能当作普通二极管使用。boost电路,一般要选用开关二极管,快恢复型二极管。BOOST电路,使用普通二极管,输入电流肯定要上升一倍多,这是因为普通二极管,反向恢复速度很慢的原因。
4、存在。根据查询相关公开信息,工程中实际的MOS管内部一般都有一个二极管,称为寄生二极管,寄生二极管都存在。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET,属于绝缘栅型。
5、mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
1、mosfet 开关瞬间有可能产生反向电压,内置二极管一般作用为防止反向电压损坏mos管,当然内置也有不同类型二极管和不同作用以应用在不同功能电路上。
2、mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。
3、这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结,而二极管本身就是有一个PN结形成的,所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。
4、那叫寄生二极管,每个mosfet里头都有一个的。
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