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光耦如何降额(光耦关断太慢)

发布时间:2023-06-24
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关于光耦,请问有接受极的Ic能达到1A的光耦吗?如果没有的话,最大的是...

1、MOC3083,资料标明可双向可控硅一侧电流最大可以达到1A,但实际工作时,不能按临界值工作呀。还是配一个电流比较大一点双向可制硅,更可靠些。工作电流是1A,选可控硅的电流至少要2A以上。

2、MOC3041最大能承受1A的峰值输出电流,驱动BTA16是没有任何问题的,为了保证安全,建议给光耦的输出串联一个300欧姆左右的电阻到可控硅控制极。

3、光耦本来就是一个小的继电器,可以使用,但是负载1~2A就不好说,要看封装形式吧 一般的光耦比如MOS308TLP3063SD21等的额定最大电流为1A,而且抗冲击电流时间很短 你还是选用故态继电器比较可靠。

如何光耦加电阻恒流原理及计算步骤

入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

首先需要确定NPN晶体管的基极电流IB和最大集电电流ICmax,这些参数可以在晶体管的规格书中找到。例如,假设IB=10mA,ICmax=200mA。

光耦驱动电路原理:电流通过5V电源,送低电平到发光二极管,因为有电流通过而发光,电阻R2,T1就导通,T1的E和C,到地,光耦的发光二极管,电源VCC通过R3,到地,致使三极管接收端导通。

设:左面的三极管为T1,右面的为T2,T2发射极电阻为R3,R1的上端接电源VCC。简单地说:T2负责驱动LED,T1从R3上采样构成一个负反馈环路。

光耦隔离的常见方法

1、光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离,光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。

2、图1输出高电平时串了一个电阻,使电流很小,如果后面的电路输入阻抗低,就会造成电压降低,甚至工作不稳定,但光耦是安全的,不会被烧掉。因此,图2抗干扰能力强,但不够安全。图1电路不容易坏,但带负载能力差。

3、光耦隔离:采用光耦合器进行隔离。变压隔离:指输入绕组与输出绕组带电气隔离的变压器,隔离变压器用以避免偶然同时触及带电体,变压器的隔离是隔离原副边绕线圈各自的电流。

4、光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离。光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏三极管封装在一起。

5、常用的隔离方式有变压器耦合、光电耦合和电容耦合。 众所周知,变压器可以通过磁的耦合将信号从初级传递到次级,起到电气隔离的作用。但是变压器只能变换交流信号,不能传递直流信号。

关于光耦的问题,求教啊

光耦合器一般由三部分组成:光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二极管(LED),使之发出一定波长的光,被光探测器接 收而产生光电流,再经过进一步放大后输出。

如图:R要根据你所接电压和电机M的工作电流来调整!单片机输出电压为5V所以R1一般用1/8W 500欧左右。(最好在M电机两端并一个二极管以保护电机停转时的反向电流将光耦击穿。

只要连接在OUT1的负荷阻抗不要太低,就没问题。PS2801-4:最大集电极/发射极电压: 80 V 。最大集电极电流: 50 mA 。

你分析的没有错。关键在于电路对于高阻是如何处理。某些器件将输入高阻(悬空)视为低电平,某些器件将输入高阻视为高电平,还有某些器件输入不允许高阻。因此,是否正确,关键看其后电路。

两种情况 光耦坏了 你用的光耦是protel本身自带的元件库吧,他自带的原理图管腿分配是这样的 1 3 2 4 很有可能你封装弄错了,用这种器件的时候要注意。

请问光耦PS2501-1有那些重要的参数

ps2501-1是一个光耦开关电路,作用是在1和2脚加上正向电压,输出脚3与4之间导通,相当于短路,如此就知道这个电路了,din1是输入,din3是输出。

NEC的光耦也比较多,你写的那个2sk2054不是光耦,是一个MOS管。NEC的光耦的型号都是 PS为前缀的,类似PS2501之类的。TLP521和TLP621一般情况下可以直接互换。导通电流稍有差别。一般的光耦参数:正向压降VF。

输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有: 正向工作电压Vf(Forward Voltage)Vf是指在给定的工作电流下,LED本身的压降。

需要考虑的参数太多了,根据重要性主要有如下几个。首先是延迟时间,这个参数影响传输度。

关键词:发光二极管 一个电阻 隔离电阻 光耦 继电器 电阻 可控硅 射极电阻 绝缘电阻 可控硅的 光耦隔离 加电阻 双向可控硅

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