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设计可控硅（可控硅 原理）

发布时间：2023-06-24
阅读量：42

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双向可控硅电路设计

1、是高压吸收回路和一次侧构成了回路造成，把二次侧接个负载下负载就行电压会立刻消失。

2、可控硅触发电流是在T1和G脚间，负半周时你再分析一下怎么可能通过360欧在T1和G脚间形成触发电流。

3、可控硅触发一般使用MOC3021，相关手册上有典型电路，CPU端接一个GPIO就可以。闭环控制时过零检测不需要很精确，一般用一个双向光耦就足够，光耦输入接交流电输入，输出接CPU中断，用史密特整形一下输出信号最好。

4、R2R3要按BTA100的栅极电流计算一般为几千欧。功率要在2W以上。MOC3052最好是固态继电器。

请热心的朋友帮我设计一个用可控硅,控制的一个直流电磁铁电路图我用...

负载串在漏极，源极接地，栅极用10V左右电压控制，记得栅极要加下拉电阻。5V电压稍低，540可能不会完全导通。

给你做了一个，使用窗口比较器的，LM358的电源根据继电器的耐压决定。如果继电器对耐流有需求的话，可以再两个二极管后串入电阻。切记，继电器要使用常闭端口接入，否则将11-15v时继电器断开，其他值时闭合。

根据使用要求，如果是220V电机是交流的那么要用双向可控硅或两个单向可控硅组合使用，如果是直流电机那么用一个可控硅做晶闸管即可，很简单的。

超导材料的电阻率几乎为零，铜材的漆包线的阻率为铜的电阻率。但是在常温下是无法使任何导体成为超导材料的，因为超导体的工作温度通常在-327度以下。

thermal noise是热噪声，并且热噪声的参数都是可调的。Multisim是美国国家仪器（NI）有限公司推出的以Windows为基础的仿真工具，适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。

我要用单片机控制可控硅的通断,进而控制加热温度,请问哪位高人给指点...

1、控制环节简述如下：①单片机输出控制信号，②经反相放大（例如7406）或同相放大（例如7407），③再经光耦（例如4N25）隔离，④触发晶闸管通/断，从而控制AC220V的通断。

2、用单片机可以控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。

3、CON接51单片机IO口，低电平可控硅开通，高电平可控硅在交流电过零时自动关断。

4、如果需要快速通断，那么可控硅也是不能直接使用的。交流电和脉动直流除外。在直流电路中，可控硅一旦开启就无法关闭。除非外部电压消失。当然，现在已经有可控制关断的可控硅。但是对价格不清楚。24V3A电路的总功率是72W。

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