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BT136、137、及138参数一样:如图所示:
600V反向重复峰值电压VRRM:600V通态平均电流IT:4A通态不重复浪涌电流ITSM:40A最高结空喊温Tjm:110 ℃贮存温度。
BT138是双薯亏明向可控硅,在两旁供给一点的电流(不管电流方向)左边和之间两个引脚就导通了(有一定的压降)。
可控硅BT137 600E可以代替BT136 600E。品名 = 8A四象限双向可控硅(TRIACs)。型号 = BT137-600E。电流 = 8.0(A)。电压 = 600(V)。结温 = 125(℃)。封装形式 = TO-220。管脚排列 = T1-T2-G。
扩展资料:
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管最初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此功率,因元件开关损耗显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称数告电流应降级使用。
参考资料来源:百度百科-可控硅
可控硅的主要参数: 1 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM)虚行昌,俗称耐压。常用可控差扒硅的VRRM/VDRM一带困般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
3ct103可控硅的参数是VPFU、VPRU、IF、UF、IH、IG、Ug。
1、正向阻断峰值电压(VPFU):是指在控制极开路及正向阻断条件下,可以重复加在器件上的正向电压的峰值,此电压规定为正向转折电压值的百分之80。
2、反向阻断峰值电压(VPRU):是指在控制极断路和额定结温度下,可以重复加在器件上的反向电压的峰值,此电压规定为最尺迟高反向测试电压值的百分之80。
3、额定正向平均电流(IF):在环境温度为+40C时,器件导通(标准散热条件)可连续通过工频(即指供电网供给的电源频率,为50Hz或60Hz,我国规定为50Hz)正弦半波电流的平均值。
4、正向平均压降(UF):在规定的条件下,器件通以额定正向平均电流时,在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5、维持电流(IH):在控制极断开时,器件保持导通状态所必需的最小正向电流。
6、控制极触发电流(Ig):阳极与阴极陵困迹之间加直流6V电压时,使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流。
7、控制极触发电压(Ug):是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压。尺并
它的符号没有统一的,有的用T、KS:有两个主端子(A1、A2),它两个可互换!还有一个公共门极(G)也叫控制极,族岩门极电压几伏到几十伏不等。它的耐压和电流由管子的型号锋穗消决定的如BT136-600 主要参数:4A,600V,IGT10mA
就是说它的耐压是600V,允许流过的电流银知为4A,
BTA41-1200B 主要参数40A,1200V,IGT≤50mA
打鱼器上的TYN112是单相可控硅,可以使用S2012R、MCR12LD代替。
TYN112单租销瞎相可控硅的弊空主要参数是:耐压(Vdrm)=100V,电流(It)=12A。
可以代换TYN112单相可控硅的常见型号是S2012R、MCR12LD。
S2012R单相可控硅的主要参数是:耐压(Vdrm)=200V,电流(It)=12A。
MCR12LD单相可控硅的主要参数是:耐压斗咐(Vdrm)=400V,电流(It)=12A。
额定通态平均电流在一定条件下,阳极与阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值;正向阻断峰值电压在控制极开路,未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压;反向阴断峰值电压在控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压;控制极触发电流,当触发电压在规定的环境温敬差缓度下,阳极与阴极间加亮模有一定电压时,可控硅从关断状态转为庆渗导通状态,所需要的最小控制极电流和电压。维持电流在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
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